物料型号：
- 型号：2SB829
- 描述：PNP型功率晶体管，与2SD1065型号相匹配
器件简介：
- 2SB829是一款硅PNP功率晶体管，采用TO-3PN封装，具有广泛的安全工作区域和低集电极饱和电压（最大-0.5V）。适用于继电器驱动、高速逆变器、转换器以及一般的高电流开关应用。
引脚分配：
- 1号引脚：基极（Base）
- 2号引脚：集电极，连接到安装底（Collector; connected to mounting base）
- 3号引脚：发射极（Emitter）
参数特性：
- 绝对最大额定值：
- VCBO：-60V
- VCEO：-50V
- VEBO：-6V
- Ic：-15A（DC）
- Icp：-20A（脉冲）
- Pc：90W（Tc=25°C）
- Tj：150°C
- Tstg：-55~150°C（存储温度）
功能详解：
- 特性表中详细列出了不同工作条件下的参数，如集电极-发射极击穿电压、集电极-基极击穿电压、发射极-基极击穿电压、集电极-发射极饱和电压、集电极截止电流、发射极截止电流、直流电流增益、转换频率以及开关时间等。
应用信息：
- 适用于继电器驱动、高速逆变器、转换器和一般高电流开关应用。
封装信息：
- 封装类型：TO-3PN
- 提供了简化外形图和符号（Fig.1）以及外形尺寸图（Fig.2）。
