物料型号：
- 型号为2SB860。
器件简介：
- 2SB860是一款硅PNP功率晶体管，与2SD1137型号的晶体管配合使用，封装为TO-220C。
引脚分配：
- 引脚1：发射极（Emitter）
- 引脚2：安装底（mounting base），连接到集电极（Collector）
- 引脚3：基极（Base）
参数特性：
- 集电极-基极电压（VCBO）：开路发射极时为-100V
- 集电极-发射极电压（VCEO）：开路基极时为-100V
- 发射极-基极电压（VEBO）：开路集电极时为-4V
- 集电极电流（IC）：最大为-4A
- 集电极峰值电流（ICP）：最大为-5A
- 集电极功耗（PC）：在25℃时为40W
- 结温（Tj）：最大150℃
- 存储温度（Tstg）：-45℃至150℃
功能详解：
- 该晶体管主要应用于低频功率放大器、电视垂直偏转输出等应用场景。
- 特性表中列出了不同条件下的最小值、典型值和最大值，例如集电极-发射极击穿电压、饱和电压、截止电流和直流电流增益等参数。
应用信息：
- 适用于低频功率放大器和电视垂直偏转输出应用。
封装信息：
- 封装形式为TO-220C，文档中附有该封装的外形图和尺寸。
