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2SB861

2SB861

  • 厂商:

    JMNIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SB861 - Silicon PNP Power Transistors - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SB861 数据手册
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB861 DESCRIPTION ・With TO-220C package ・Complement to type 2SD1138 APPLICATIONS ・Low frequency power amplifier color TV vertical deflection output PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector;connected to mounting base Base ・ Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICP PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-Peak Ta=25℃ PC Collector power dissipation TC=25℃ Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 30 150 -45~150 ℃ ℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -200 -150 -6 -2 -5 1.8 W UNIT V V V A A JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL V(BR)CEO V(BR)EBO VCEsat VBE ICBO hFE-1 hFE-2 COB PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown votage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter voltage Collector cut-off current DC current gain DC current gain Output capacitance CONDITIONS IC=-50mA; RBE=∞ IE=-5mA; IC=0 IC=-0.5 A;IB=-50m A IC=-50mA ; VCE=-4V VCB=-120V; IE=0 IC=-50mA ; VCE=-4V IC=-0.5A ; VCE=-10V IE=0 ;VCB=-100V,f=1MHz 60 60 30 MIN -150 -6 TYP. 2SB861 MAX UNIT V V -3.0 -1.0 -1 200 V V μA pF hFE-1 classifications B 60-120 C 100-200 2 JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SB861 Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10 mm) 3 JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB861 4
2SB861
物料型号: - 型号为2SB861。

器件简介: - 2SB861是一款硅PNP功率晶体管,采用TO-220C封装,与2SD1138型号相匹配。

引脚分配: - PIN 1: 发射极(Emitter) - PIN 2: 集电极,连接到安装底座(Collector;connected to mounting base) - PIN 3: 基极(Base)

参数特性: - 集-基电压(VCBO):-200V,开发射极 - 集-射电压(VCEO):-150V,开基极 - 发-基电压(VEBO):-6V,开集电极 - 集电极电流(Ic):-2A - 集电极峰值电流(IcP):-5A - 集电极功耗(Pc):1.8W,环境温度Ta=25°C时为30W - 结温(Tj):150°C - 存储温度(Tstg):-45~150°C

功能详解: - 2SB861在Tj=25℃时的特性参数包括: - 集-射击穿电压(V(BR)CEO):-150V - 发-基击穿电压(VBR)EBO):-6V - 集-射饱和电压(VcEsat):-3.0V - 基-发射电压(VBE):-1.0V - 集电极截止电流(IcBO):-1μA - 直流电流增益(hFE-1):60至200 - 输出电容(CoB):30pF

应用信息: - 低频功率放大器彩色电视垂直偏转输出。

封装信息: - 封装形式为TO-220C,具体尺寸见图2,未标注的公差为±0.10mm。
2SB861 价格&库存

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