物料型号：
- 型号：2SB869
器件简介：
- 2SB869是一款硅PNP功率晶体管，具有TO-220C封装，与2SD961型号互补。它具有低集电极饱和电压和高集电极电流能力。
引脚分配：
- 1号引脚：发射极（Emitter）
- 2号引脚：集电极，连接到安装底座（Collector; connected to mounting base）
- 3号引脚：基极（Base）
参数特性：
- 集电极-基极电压（VCBO）：-130V，开发射极
- 集电极-发射极电压（VCEO）：-80V，开基极
- 发射极-基极电压（VEBO）：-7V，开集电极
- 集电极电流（DC）（Ic）：-5A
- 集电极峰值电流（ICM）：-10A
- 集电极耗散功率（Pc）：40W，Tc=25°C
- 结温（Tj）：150°C
- 存储温度（Tstg）：-50~150°C
功能详解：
- 该晶体管在25°C结温下的特性包括：
- 集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO）：-80V，Ic=-10mA; Ib=0
- 集电极-发射极饱和电压（VcEsat）：-0.5V，Ic=-4A; Ib=-0.2A
- 基极-发射极饱和电压（VBEsat）：-1.5V，Ic=-4A; Ib=-0.2A
- 集电极截止电流（ICBO）：-10uA，VcB=-100V; Ie=0
- 发射极截止电流（IEBO）：-50A，VEB=-5V; Ic=0
- 直流电流增益（hFE-1）：45，Ic=-0.1A; Vc=-2V
- 直流电流增益（hFE-2）：60，Ic=-2A; VcE=-2V
- 过渡频率（fT）：30MHz，Ic=-0.5A; VcE=-10V
应用信息：
- 适用于功率开关应用。
封装信息：
- 封装类型：TO-220C
- 图2显示了封装的外形尺寸，未标明的公差为±0.10mm。
