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2SB947A

2SB947A

  • 厂商:

    JMNIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SB947A - Silicon PNP Power Transistors - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SB947A 数据手册
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB947 2SB947A DESCRIPTION ・With TO-220Fa package ・High speed switching ・Low collector saturation voltage APPLICATIONS ・For low-voltage switching applications PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector Base ・ Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER 2SB947 VCBO Collector-base voltage 2SB947A 2SB947 VCEO Collector-emitter voltage 2SB947A VEBO IC ICM Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Ta=25℃ PC Collector power dissipation TC=25℃ Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 35 150 -55~150 ℃ ℃ Open collector Open base -40 -5 -10 -15 2 W V A A Open emitter -50 -20 V CONDITIONS VALUE -40 V UNIT JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2SB947 IC=-10mA; IB=0 2SB947A IC=-7A ;IB=-0.23A IC=-7A ;IB=-0.23A VCB=-40V; IE=0 VCB=-50V; IE=0 VEB=-5V; IC=0 IC=-0.1A ; VCE=-2V IC=-2A ; VCE=-2V IC=-0.5A; VCE=-10V,f=10MHz f=1MHz ; VCB=-10V CONDITIONS 2SB947 2SB947A MIN -20 TYP. MAX UNIT VCEO Collector-emitter voltage V -40 -0.6 -1.5 -50 -50 -50 45 90 150 200 0.1 260 MHz pF μs μs μs V V μA μA μA VCEsat VBEsat Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage 2SB947 ICBO Collector cut-off current 2SB947A IEBO hFE-1 hFE-2 fT COB ton ts tf Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Transition frequency Collector output capacitance Trun-on time Storage time Fall time IC=-2A ;IB1=-IB2=-66mA 0.5 0.1 hFE-2 Classifications Q 90-180 P 130-260 2 JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SB947 2SB947A Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance: ±0.15 mm) 3 JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB947 2SB947A 4 JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB947 2SB947A 5
2SB947A
物料型号: - 2SB947 - 2SB947A

器件简介: - 这些是硅PNP功率晶体管,具有TO-220Fa封装。 - 特点包括高速开关和低集电极饱和电压。

引脚分配: - 1号引脚:发射极(Emitter) - 2号引脚:集电极(Collector) - 3号引脚:基极(Base)

参数特性: - 集电极-基极电压(VCBO):2SB947为-40V,2SB947A为-50V。 - 集电极-发射极电压(VCEO):2SB947为-20V,2SB947A为-40V。 - 发射极-基极电压(VEBO):-5V。 - 集电极电流(Ic):-10A。 - 集电极峰值电流(ICM):-15A。 - 集电极功耗(Pc):在25°C环境温度下为2W,在25°C结温下为35W。 - 结温(Tj):150°C。 - 存储温度(Tstg):-55至150°C。

功能详解: - 该晶体管在Tj=25°C的条件下工作,除非另有说明。 - 包括VCEO电压、VcEsat集电极-发射极饱和电压、VBEsat基极-发射极饱和电压、IcBO截止电流、IEBO发射极截止电流、hFE-1和hFE-2直流电流增益、fT转换频率、CoB集电极输出电容、ton开通时间、ts存储时间和tr下降时间等参数。

应用信息: - 适用于低电压开关应用。

封装信息: - 提供了TO-220Fa封装的外形尺寸图,未标明的公差为±0.15mm。
2SB947A 价格&库存

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