2SB953

厂商：
JMNIC
封装：
描述：
2SB953 - Silicon PNP Power Transistors - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

数据手册：

下载2SB953.pdf

立即购买

详情介绍
数据手册
价格&库存

2SB953 数据手册

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB953 2SB953A DESCRIPTION ・With TO-220Fa package ・Complement to type 2SD1444/1444A ・High speed switching ・Low collector saturation voltage APPLICATIONS ・For low-voltage switching PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector Base ・ Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER 2SB953 VCBO Collector-base voltage 2SB953A 2SB953 VCEO Collector-emitter voltage 2SB953A VEBO IC ICM Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Ta=25℃ PC Collector power dissipation TC=25℃ Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 30 150 -55~150 ℃ ℃ Open collector Open base -40 -5 -7 -12 2 W V A A Open emitter -50 -20 V CONDITIONS VALUE -40 V UNIT 1 JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2SB953 IC=-10mA IB=0 2SB953A IC=-5A ;IB=-0.16A IC=-5A; IB=-0.16A VCB=-40V; IE=0 CONDITIONS 2SB953 2SB953A MIN -20 TYP. MAX UNIT VCEO Collector-emitter voltage V -40 -0.6 -1.5 V V VCEsat VBEsat Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage 2SB953 2SB953A ICBO Collector cut-off current -50 VCB=-50V; IE=0 VEB=-5V; IC=0 IC=-0.1A ; VCE=-2V IC=-2A ; VCE=-2V IC=-0.5A; VCE=-10V,f=10MHz f=1MHz ; VCB=-10V 45 90 150 140 260 -50 μA IEBO hFE-1 hFE-2 fT COB Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Transition frequency Collector output capacitance μA MHz pF Switching times ton ts tf Trun-on time Storage time Fall time IC=-2A IB1=-66mA, IB2=66mA 0.1 0.5 0.1 μs μs μs hFE-2 Classifications Q 90-180 P 130-260 2 JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SB953 2SB953A Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance: ±0.15 mm) 3 JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB953 2SB953A 4 JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB953 2SB953A 5

下载 PDF

2SB953

物料型号： - 型号为2SB953和2SB953A。

器件简介： - 这些是硅PNP功率晶体管，具有TO-220Fa封装，是2SD1444/1444A型号的补充。 - 特点包括高速开关和低集电极饱和电压。

引脚分配： - 1号引脚：发射极（Emitter） - 2号引脚：集电极（Collector） - 3号引脚：基极（Base）

参数特性： - 绝对最大额定值（Ta=25°C）： - VCBO（集电极-基极电压）：2SB953为-40V，2SB953A为-50V。 - VCEO（集电极-发射极电压）：2SB953为-20V，2SB953A为-40V。 - VEBO（发射极-基极电压）：-5V。 - Ic（集电极电流）：-7A。 - ICM（集电极峰值电流）：-12A。 - Pc（集电极功耗）：在Ta=25°C时为2W，在Tc=25°C时为30W。 - Tj（结温）：150°C。 - Tstg（存储温度）：-55至150°C。

功能详解： - 特性（Tj=25°C，除非另有说明）： - VCEO（集电极-发射极电压）：2SB953在Ic=-10mA，Ib=0时为-20V，2SB953A为-40V。 - VcEsat（集电极-发射极饱和电压）：在Ic=-5A，Ib=-0.16A时为-0.6V。 - VBEsat（基极-发射极饱和电压）：在Ic=-5A，Ib=-0.16A时为-1.5V。 - ICBO（集电极截止电流）：2SB953在VcB=-40V，Ie=0时为-50uA，2SB953A在VcB=-50V，Ie=0时为-50uA。 - IEBO（发射极截止电流）：在VEB=-5V，Ic=0时为-50uA。 - hFE-1（直流电流增益）：在Ic=-0.1A，VcE=-2V时为45。 - hFE-2（直流电流增益）：在Ic=-2A，VcE=-2V时为90至260。 - fr（过渡频率）：在Ic=-0.5A，VcE=-10V，f=10MHz时为150MHz。 - CoB（集电极输出电容）：在f=1MHz，VcB=-10V时为140pF。 - 开关时间包括：ton（开通时间）为0.1s，ts（存储时间）为0.5s，toff（关断时间）为0.1s。

应用信息： - 适用于低电压开关。

封装信息： - 提供了TO-220Fa封装的外形尺寸图，未标明的公差为±0.15mm。

2SB953 价格&库存

-> 查询更多价格&库存

很抱歉，暂时无法提供与“2SB953”相匹配的价格&库存，您可以联系我们找货

免费人工找货

搜索历史

2SB953

相关技术文章