物料型号：
- 型号为2SC1212和2SC1212A。
器件简介：
- 这些是硅NPN功率晶体管，采用TO-126封装，是2SA743/743A型号的补充。
引脚分配：
- PIN 1: 发射极（Emitter）
- PIN 2: 集电极，连接到安装底座（Collector; connected to mounting base）
- PIN 3: 基极（Base）
参数特性：
- 绝对最大额定值（Ta=25°C）：
- VcBO（集电极-基极电压）：2SC1212为50V，2SC1212A为80V。
- VCEO（集电极-发射极电压）：2SC1212为50V，2SC1212A为80V。
- VEBO（发射极-基极电压）：4V。
- Ic（集电极电流）：1A。
- Po（总功率耗散）：Ta=25°C时为0.75W，Tc=25°C时为8W。
- Tj（结温）：150°C。
- Tstg（储存温度）：-55~+150°C。
功能详解：
- 这些晶体管适用于低频功率放大应用。
- 在Tj=25℃的条件下，除非另有说明，特性如下：
- V(BR)CEO（集电极-发射极击穿电压）：2SC1212和2SC1212A均为80V。
- VBR)CBO（集电极-基极击穿电压）：2SC1212为50V，2SC1212A为80V。
- VBR)EBO（发射极-基极击穿电压）：4V。
- VcEsat（集电极-发射极饱和电压）：在Ic=1A，Ib=0.1A时为1.5V。
- VBE（基极-发射极电压）：在Ic=50mA，VcE=4V时为1.0V。
- ICBO（集电极截止电流）：在VcB=50V，IE=0时为5A。
- hFE（直流电流增益）：hFE-1（Ic=50mA，VcE=4V）为60-200，hFE-2（Ic=1A，VcE=4V）为20-200。
- fr（过渡频率）：在Ic=30mA，VcE=4V时为160MHz。
应用信息：
- 适用于低频功率放大应用。
封装信息：
- 封装形式为TO-126。
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