物料型号：
- 型号为2SC2307，是JMnic Silicon NPN Power Transistors。
器件简介：
- 该器件是一个NPN型功率晶体管，具有高电压、高速特性，并且采用TO-3PN封装，适用于功率开关应用。
引脚分配：
- 1号引脚：基极（Base）
- 2号引脚：集电极，连接到安装底（Collector;connected to mounting base）
- 3号引脚：发射极（Emitter）
参数特性：
- 绝对最大额定值（Ta=25°C）：
- VCBO：集电极-基极电压，开路发射极，500V
- VCEO：集电极-发射极电压，开路基极，400V
- VEBO：发射极-基极电压，开路集电极，7V
- Ic：集电极电流（DC），12A
- Pc：集电极功率耗散，Tc=25°C，100W
- Tj：结温，150°C
- Tstg：存储温度，-55~150°C
功能详解：
- 特性（Tj=25°C，除非另有说明）：
- V(BR)CEO：集电极-发射极击穿电压，Ic=25mA;Ib=0，400V
- V(BR)CBO：集电极-基极击穿电压，Ic=1mA;Ie=0，500V
- V(BR)EBO：发射极-基极击穿电压，Ie=1mA;Ic=0，7V
- VcEsat：集电极-发射极饱和电压，Ic=7A;Ib=1.4A，0.5V
- VBEsat：基极-发射极饱和电压，Ic=7A;Ie=1.4A，1.3V
- ICBO：集电极截止电流，VcB=500V;Ie=0，100μA
- IEBO：发射极截止电流，VEB=7V;Ic=0，100μA
- hFE：直流电流增益，Ic=7A;VcE=4V，10
- fr：过渡频率，Ic=1A;VcE=12V，18MHz
应用信息：
- 适用于功率开关应用。
封装信息：
- 封装类型为TO-3PN，具体尺寸见图2，未标注的公差为±0.1mm。
