物料型号：
- 型号：2SC3149
- 描述：Silicon NPN Power Transistors，采用TO-220C封装。
器件简介：
- 2SC3149是一款硅NPN功率晶体管，具有高击穿电压（V_{CBO}=900V最小值）和快速开关速度。它拥有广泛的安全工作区（ASO），适用于800V/1.5A的开关稳压器应用。
引脚分配：
- 1号引脚：基极（Base）
- 2号引脚：集电极，连接到安装底（Collector; connected to mounting base）
- 3号引脚：发射极（Emitter）
参数特性：
- 绝对最大额定值（Ta=25°C）：
- V_{CBO}（集电极-基极电压）：900V
- V_{CEO}（集电极-发射极电压）：800V
- V_{EBO}（发射极-基极电压）：7V
- Ic（集电极电流）：1.5A
- ICM（集电极峰值电流）：5A
- 1B（基极电流）：0.8A
- Pc（集电极耗散功率）：40W（Tc=25°C）
- Tj（结温）：150°C
- Tstg（储存温度）：-55~150°C
功能详解：
- 2SC3149的主要特性包括击穿电压、饱和电压、直流电流增益、转换频率和输出电容等。具体数值如下：
- V(BRCEO)（集电极-发射极击穿电压）：800V
- VcEsat（集电极-发射极饱和电压）：2.0V
- VBEsat（基极-发射极饱和电压）：1.5V
- hFE（直流电流增益）：在Ic=0.1A; VcE=5V时为10至40，在Ic=0.5A; VcE=5V时为8
- fT（转换频率）：15MHz
- COB（输出电容）：30pF
应用信息：
- 2SC3149适用于800V/1.5A的开关稳压器应用。
封装信息：
- 封装类型：TO-220C
- 封装图示：文档中提供了简化外形图和符号（Fig.1），以及外形尺寸图（Fig.2）。
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