2SC3686

厂商：
JMNIC
封装：
描述：
2SC3686 - Silicon NPN Power Transistors - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

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Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors ESCRIPTION ・High breakdown voltage ・High reliability (adoption of HVP process). ・Fast speed ・Adoption of MBIT process. ・With TO-3PN package APPLICATIONS ・Ultrahigh-definition color display horizontal deflection output. PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION 2SC3686 Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICP PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-pulse Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 1500 800 6 7 16 120 150 -55~150 UNIT V V V A A W ℃ ℃ JMnic Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2SC3686 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL VCEO(SUS) VCEsat VBEsat ICES IEBO hFE PARAMETER Collector-emitter sustaining voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain CONDITIONS IC=100mA; IB=0 IC=5A IB=1.2A IC=5A ;IB=1.2A VCB=1500V; IE=0 VEB=4V; IC=0 IC=1A ; VCE=5V 8 MIN 800 5 1.5 1 1 TYP. MAX UNIT V V V mA mA Switching times tstg tf Storage time Fall time IC=4A; VCC=5V IB1=0.8A; IB2=-1.6A 3 0.1 0.2 μs μs JMnic Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SC3686 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.1mm) JMnic

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2SC3686

1. 物料型号：2SC3686，这是一种Silicon NPN Power Transistors（硅NPN功率晶体管）。

2. 器件简介： - 高击穿电压 - 高可靠性（采用HVP工艺） - 快速速度 - 采用MBIT工艺 - 带有TO-3PN封装

3. 引脚分配： - 1号引脚：基极（Base） - 2号引脚：集电极，连接到安装底座（Collector;connected to mounting base） - 3号引脚：发射极（Emitter）

4. 参数特性： - VCBO（集电极-基极电压）：1500V - VCEO（集电极-发射极电压）：800V - VEBO（发射极-基极电压）：6V - Ic（集电极电流）：7A - IcP（集电极脉冲电流）：16A - Pc（集电极功率耗散）：120W（在Tc=25°C时） - Tj（结温）：150°C - Tstg（存储温度）：-55~150°C

5. 功能详解： - VCEO(SUS)（集电极-发射极维持电压）：在IC=100mA; IB=0条件下为800V - VCEsat（集电极-发射极饱和电压）：在IC=5A; IB=1.2A条件下为5V - VBEsat（基极-发射极饱和电压）：在IC=5A; IB=1.2A条件下为1.5V - ICES（集电极截止电流）：在VCB=1500V; IE=0条件下为1mA - IEBO（发射极截止电流）：在VEB=4V; IC=0条件下为1mA - hFE（直流电流增益）：在IC=1A; VCE=5V条件下为8

6. 应用信息： - 超高清晰度彩色显示器水平偏转输出

7. 封装信息： - 提供了TO-3PN封装的简化外形图和符号，具体尺寸见图2，未标明的公差为±0.1mm。

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