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2SC3850

2SC3850

  • 厂商:

    JMNIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SC3850 - Silicon NPN Power Transistors - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SC3850 数据手册
JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3850 DESCRIPTION ・With TO-3PN package ・Good linearity of hFE ・Low collector saturation voltage APPLICATIONS ・For power switching applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current Ta=25℃ PC Collector power dissipation TC=25℃ Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 125 150 -55~150 ℃ ℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 500 400 7 20 30 6 2.5 W UNIT V V V A A A JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL VCEO(SUS) VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 fT PARAMETER Collector-emitter sustaining voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Transition frequency CONDITIONS IC=0.5A ;L=25mH IC=10A ;IB=2A IC=10A ;IB=2A VCB=500V ;IE=0 VEB=7V; IC=0 IC=2A ; VCE=5V IC=10A ; VCE=5V IC=1A ; VCE=10V 15 10 15 MIN 400 2SC3850 TYP. MAX UNIT V 1.0 1.5 100 100 V V μA μA MHz Switching times ton ts tf Turn-on time Storage time Fall time IC=10A IB1=-IB2=2A VCC=125V 1.0 2.5 1.0 μs μs μs 2 JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SC3850 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.1mm) 3
2SC3850
物料型号: - 型号为2SC3850。

器件简介: - 2SC3850是一款硅NPN功率晶体管,具有TO-3PN封装,具有良好的hFE线性和低集电极饱和电压。

引脚分配: - 引脚1:基极(Base) - 引脚2:集电极,连接到安装底(Collector;connected to mounting base) - 引脚3:发射极(Emitter)

参数特性: - 集电极-基极电压(VCBO):500V,开路发射极。 - 集电极-发射极电压(VCEO):400V,开路基极。 - 发射极-基极电压(VEBO):7V,开路集电极。 - 集电极电流(Ic):20A。 - 集电极峰值电流(ICM):30A。 - 基极电流(1B):6A。 - 集电极功率耗散(Pc):2.5W(Ta=25°C),125W(Tc=25°C)。 - 结温(TJ):150°C。 - 存储温度(Tstg):-55~150°C。

功能详解: - 该晶体管具有较低的集电极-发射极饱和电压和基极-发射极饱和电压,适用于功率开关应用。 - 直流电流增益(hFE)在不同集电极电流下有不同的典型值,分别为15(Ic=2A;VcE=5V)和10(Ic=10A;VcE=5V)。 - 过渡频率(fr)为15MHz(Ic=1A;VcE=10V)。 - 开启时间(ton)、存储时间(ts)和下降时间(tr)分别为1.0us、2.5us和1.0us。

应用信息: - 适用于功率开关应用。

封装信息: - 封装类型为TO-3PN,具体尺寸见图2,未标明的公差为±0.1mm。
2SC3850 价格&库存

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