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2SC4517

2SC4517

  • 厂商:

    JMNIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SC4517 - Silicon NPN Power Transistors - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SC4517 数据手册
JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC4517 2SC4517A DESCRIPTION ・With TO-220F package ・High voltage switching transistor APPLICATIONS ・For switching regulator and general purpose applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter Fig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings (Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER 2SC4517 VCBO Collector-base voltage 2SC4517A VCEO VEBO IC ICM IB PC Tj Tstg Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-pulse Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open base Open collector Open emitter 1000 550 7 3 6 1.5 30 150 -55~150 V V A A A W ℃ ℃ CONDITIONS VALUE 900 V UNIT JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL V(BR)CEO VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE COB fT PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Output capacitance Transition frequency CONDITIONS IC=10mA ; IB=0 IC=1A; IB=0.2A IC=1A; IB=0.2A VCB=800V; IE=0 VEB=7V; IC=0 IC=1A ; VCE=4V IE=0; VCB=10V;f=1MHz IE=-0.25A ; VCE=12V 2SC4517 2SC4517A MIN 550 TYP. MAX UNIT V 0.5 1.2 100 100 10 35 6 30 V V μA μA pF MHz Switching times ton ts tf Turn-on time Storage time Fall time IC=1.0A IB1=0.15A IB2=-0.45A VCC=250V ,RL=250Ω 0.7 4.0 0.5 μs μs μs 2 JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SC4517 2SC4517A Fig.2 Outline dimensions 3 JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC4517 2SC4517A 4
2SC4517
1. 物料型号: - 型号:2SC4517和2SC4517A

2. 器件简介: - 这些是具有TO-220F封装的高压开关晶体管,适用于开关稳压器和一般用途的应用。

3. 引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:集电极(Collector) - 3号引脚:发射极(Emitter)

4. 参数特性: - 绝对最大额定值: - 2SC4517和2SC4517A的集-基电压(VCBO)分别为900V和1000V。 - 集-射电压(VCEO)为550V。 - 发射极-基电压(VEBO)为7V。 - 集电极电流(Ic)为3A,脉冲集电极电流(IcM)为6A。 - 基极电流(Ib)为1.5A。 - 集电极功耗(Pc)为30W。 - 结温(Tj)为150°C。 - 存储温度(Tstg)范围为-55至150°C。 - 电特性: - 集-射击穿电压(V(BR)CEO)为550V。 - 集-射饱和电压(VcEsat)为0.5V。 - 基-发射饱和电压(VBEsat)为1.2V。 - 集电极截止电流(IcBO)为100μA。 - 发射极截止电流(IEBO)为100μA。 - DC电流增益(hFE)在10到30之间。 - 输出电容(CoB)为35pF。 - 转换频率(fr)为6MHz。 - 开关时间: - 导通时间(ton)为0.7s。 - 存储时间(ts)为4.0s。 - 下降时间(t1)为0.5s。

5. 功能详解: - 这些晶体管主要用于高压开关应用,具有较高的集-基和集-射电压额定值,适用于需要高电压、大电流开关的应用场合。

6. 应用信息: - 适用于开关稳压器和一般用途的应用。

7. 封装信息: - 封装类型为TO-220F。
2SC4517 价格&库存

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