物料型号：2SD1213
器件简介：
- 2SD1213是一款硅NPN功率晶体管，具有TO-3PN封装。
- 特点包括低集电极-发射极饱和电压（V_{CE(sat)}=0.4V最大值）和大电流容量，是2SB904型号的补充。
引脚分配：
- 1号引脚：基极（Base）
- 2号引脚：集电极，连接到安装底（Collector;connected to mounting base）
- 3号引脚：发射极（Emitter）
参数特性：
- 集电极-基极电压（VCBO）：60V，开路发射极
- 集电极-发射极电压（VCEO）：30V，开路基极
- 发射极-基极电压（VEBO）：6V，开路集电极
- 集电极电流（IC）：20A（直流），30A（脉冲）
- 集电极功耗（PC）：2.5W，环境温度Ta=25℃
- 结温（Tj）：150℃
- 存储温度（Tstg）：-55~150℃
功能详解：
- 2SD1213的主要特性是低饱和电压和大电流容量，适用于大电流继电器驱动、高速逆变器和转换器等应用。
- 直流电流增益（hFE）在Ic=1A;VcE=2V时为70至280，Ic=10A;VcE=2V时为30至无上限。
- 过渡频率（fT）在Ic=1A;VcE=5V时为120MHz。
- 开启时间（ton）、存储时间（ts）和下降时间（t1）分别为0.3s、0.6s和0.02s。
应用信息：
- 适用于大电流继电器驱动、高速逆变器和转换器等。
封装信息：
- 封装类型为TO-3PN，具体尺寸见图2，未标明的公差为±0.10mm。
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