1. 物料型号：
- 型号为2SD1276和2SD1276A。
2. 器件简介：
- 这些是硅NPN功率晶体管，采用TO-220Fa封装，是2SB950和2SB950A的补充型号。具有高前向电流转移比（hFE）和高速开关特性。
3. 引脚分配：
- PIN 1: Base（基极）
- PIN 2: Collector（集电极）
- PIN 3: Emitter（发射极）
4. 参数特性：
- 绝对最大额定值（在Tc=25°C时）：
- VCBO（集-基电压）：2SD1276为60V，2SD1276A为80V
- VCEO（集-发电压）：2SD1276在开路基极时为60V，2SD1276A为80V
- VEBO（发-基电压）：开路集电极时为5V
- lc（集电极电流（DC））：4A
- ICM（集电极峰值电流）：8A
- Pc（集电极功耗）：在Tc=25°C时为40W，Ta=25°C时为2W
- Tj（结温）：150°C
- Tstg（储存温度）：-55~150°C
5. 功能详解：
- 这些晶体管适用于功率放大，具有高hFE和高速开关能力，具体特性如下：
- VCEO（集-发击穿电压）：2SD1276在Ic=30mA, Ib=0时为60V，2SD1276A为80V
- VcEsat（集-发饱和电压）：在Ic=3A, Ib=12mA时小于2V，在Ic=5A, Ib=20mA时小于4V
- VBE（基-发电压）：在VcE=3V, Ic=3A时小于2.5V
- IcBO（集电极截止电流）：2SD1276在VcB=60V, Ie=0时为0.2mA，2SD1276A在VcB=80V, Ie=0时为0.2mA
- hFE（直流电流增益）：在Ic=3A, VcE=0.5V时，hFE-1的最小值为1000，hFE-2的最大值为10000
6. 应用信息：
- 适用于功率放大。
7. 封装信息：
- 封装类型为TO-220Fa，具体尺寸见图2，未标明的公差为±0.15mm。
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