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2SD1895

2SD1895

  • 厂商:

    JMNIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SD1895 - Silicon NPN Darlington Power Transistors - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SD1895 数据手册
Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Darlington Power Transistors DESCRIPTION ・With TO-3PFa package ・Optimum for 90W HiFi output ・High foward current transfer ratio hFE ・Low collector-emitter saturation voltage ・Complement to type 2SB1255 APPLICATIONS ・Power amplification PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter DESCRIPTION 2SD1895 Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICP PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak TC=25℃ Collector power dissipation 3 Junction temperature Storage temperature 150 -55~150 ℃ ℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 160 140 5 15 8 100 W UNIT V V V A A JMnic Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Darlington Power Transistors 2SD1895 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL VCEO VCEsat VBEsat ICBO ICEO IEBO hFE-1 hFE -2 fT PARAMETER Collector-emitter voltage Collector-emitter saturation voltage Emitter-base saturation voltage Collector cut-off current Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Transition frequency CONDITIONS IC=30mA ; IB=0 IC=7A ;IB=7mA IC=7A ;IB=7mA VCB=160V; IE=0 VCE=140V; IB=0 VEB=5V; IC=0 IC=1A ; VCE=5V IC=7A ; VCE=5V IC=0.5A ; VCE=10V;f=1MHz 2000 5000 20 30000 MHz MIN 140 2.5 3.0 100 100 100 TYP. MAX UNIT V V V μA μA μA Switching times ton tstg tf Turn-on time Storage time Fall time IC=7A; VCC=50V IB1=-IB2=7mA 2.0 6.0 1.2 μs μs μs hFE-2 classifications Q 5000-15000 P 8000-30000 JMnic Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Darlington Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SD1895 Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.30mm) JMnic
2SD1895
物料型号: - 型号为2SD1895,是一种硅NPN达林顿功率晶体管。

器件简介: - 该器件采用TO-3PFa封装,适合用于90W的高保真输出,具有高电流传输比和低集电极-发射极饱和电压,是2SB1255型号的互补类型。

引脚分配: - 引脚1:基极(Base) - 引脚2:集电极(Collector) - 引脚3:发射极(Emitter)

参数特性: - 集电极-基极电压(VCBO):160V,开路发射极。 - 集电极-发射极电压(VCEO):140V,开路基极。 - 发射极-基极电压(VEBO):5V,开路集电极。 - 集电极电流(Ic):15A。 - 集电极峰值电流(Icp):8A。 - 集电极功率耗散(Pc):100W,Tc=25°C。 - 结温(TJ):150°C。 - 存储温度(Tstg):-55°C至150°C。

功能详解: - 该器件在25°C下工作,除非另有说明。其特性包括集电极-发射极电压(VCEO)、集电极-发射极饱和电压(VcEsat)、发射极-基极饱和电压(VBEsat)、集电极截止电流(ICBO)、集电极截止电流(ICEO)、发射极截止电流(IEBO)、直流电流增益(hFE-1和hFE-2)、转换频率(fr)、开关时间(包括开通时间ton、存储时间tstg和下降时间tr)。

应用信息: - 适用于功率放大。

封装信息: - 封装类型为TO-3PFa,PDF中提供了简化外形和符号图,以及外形尺寸图,未标明的公差为0.30mm。
2SD1895 价格&库存

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