1. 物料型号：2SD525，这是一种Silicon NPN Power Transistors。
2. 器件简介：
- 2SD525是一种硅NPN功率晶体管，具有TO-220C封装，与2SB595型号相辅相成。
- 特点包括高击穿电压（VCEO=100V）和低集电极饱和电压（VCE(sat)=2.0V最大值）。
3. 引脚分配：
- 1号引脚：基极（Base）
- 2号引脚：集电极，连接到安装底座（Collector; connected to mounting base）
- 3号引脚：发射极（Emitter）
4. 参数特性：
- 集电极-基极电压（VCBO）：100V
- 集电极-发射极电压（VCEO）：100V
- 发射极-基极电压（VEBO）：5V
- 集电极电流（Ic）：5A
- 发射极电流（Ie）：5A
- 基极电流（Ib）：0.5A
- 集电极功耗（Pc）：40W（在25°C时）
- 结温（Tj）：150°C
- 存储温度（Tstg）：-55至150°C
5. 功能详解：
- 适用于功率放大应用，推荐用于30W高保真音频频率放大器输出阶段。
- 具有特定的击穿电压和饱和电压，适用于需要高电压和低功耗的应用。
6. 应用信息：
- 功率放大应用，特别是在高保真音频频率放大器的输出阶段。
7. 封装信息：
- 封装类型为TO-220C，具体尺寸和公差信息可以参考文档中的图2。
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