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3DD4612DT-R-T-N-C

3DD4612DT-R-T-N-C

  • 厂商:

    JSMC(吉顺芯微)

  • 封装:

  • 描述:

    3DD4612DT-R-T-N-C - HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR - JILIN SINO-MICROELECTRONICS C...

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3DD4612DT-R-T-N-C 数据手册
R NPN 型高压功率开关晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR 3DD4612DT 主要参数 IC VCEO PC(TO-92) MAIN CHARACTERISTICS 1.5A 450V 1W 封装 Package 用途 充电器 电子镇流器 高频开关电源 高频功率变换 一般功率放大电路 APPLICATIONS Battery charger Electronic ballasts High frequency switching power supply High frequency power transform Commonly power amplifier TO-92 产品特性 高耐压 高电流容量 高开关速度 高可靠性 环保(RoHS)产品 FEATURES High breakdown voltage High current capability High switching speed High reliability RoHS product 订货信息 ORDER MESSAGE 订货型号 Order codes 3DD4612DT-O-T-B-A 3DD4612DT-O-T-N-C 3DD4612DT-R-T-B-A 3DD4612DT-R-T-N-C 印 记 否 否 是 是 无卤素 Halogen Free NO NO YES YES 封 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 装 包 装 Marking 4612DT 4612DT 4612DT 4612DT Package Packaging 编带 Brede 袋装 Bag 编带 Brede 袋装 Bag 印记 SIGIL 无卤素标记“R”” Halogen Free Sign“R” 版本:200910E 1/5 R 3DD4612DT ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 项 目 Parameter 符号 Symbol VCEO VEBO IC ICP PC Tj Tstg 数值 Value 700 450 9 1.5 3.0 1 150 -55~+150 单位 Unit V V V A A W ℃ ℃ 绝对最大额定值 集电极—发射极直流电压 集电极—发射极直流电压 发射极—基极直流电压 最大集电极直流电流 最大集电极脉冲电流 最大集电极耗散功率 最高结温 贮存温度 Collector- Emitter Voltage(VBE=0) VCES Collector- Emitter Voltage(IB=0) Emitter-Base Voltage Collector Current(DC) Collector Current(pulse) Total Dissipation (TO-92) Junction Temperature Storage Temperature 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC 项 V(BR)CEO V(BR)CBO V(BR)EBO ICBO ICEO IEBO hFE VCE(sat) VBE(sat) tf ts fT 目 Parameter 测试条件 Tests conditions IC=10mA,IB=0 IC=1mA,IB=0 IE=1mA,IC=0 VCB=700V, IE=0 VCE=450V,IB=0 VEB=7V, IC=0 VCE =10V, IC=100mA VCE=5V, IC=0.5A, IC=0.5A, IC=1.5A IB=0.1A IB=0.1A IC=0.25A,IB1=-IB2=0.05A 最小值 Value(min) 典型值 500 800 14 22 5.0 0.3 1.0 - 最大值 1 1 0.5 40 0.8 1.2 0.7 5 - Value(typ) Value(max) 单位 Unit V V V μA mA μA V V μS μS MHz 450 700 9 10 3.0 4 VCC=24V VCE=10V, IC=0.1A 热特性 THERMAL CHARACTERISTIC 项 目 Parameter 符号 Symbol TO-92 Rth(j-a) 最小值 最大值 Value(min) Value(max) 单位 Unit ℃/W 结到环境的热阻 TO-92 Thermal Resistance Junction Case - 125 版本:200910E 2/5 R 3DD4612DT ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) hFE – IC 特征曲线 VCE(sat)- IC VCE(sat) hFE IC(A) VBE(sat)- IC VBE(sat)(V) IC(A) IC(A) SOA TC=25℃ DC CURVES MUST BE DERATED LINEARLY WITH INCREASE IN TEMPERATURE IC(A) PC-TC PC (percent) VCE(V) TC(℃) 版本:200910E 3/5 R 3DD4612DT 单位 Unit :mm 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-92 A B b c D E e F L Q Z Z1 3.30-3.90 0.35-0.55 0.35-0.55 0.31-0.51 4.30-4.90 4.30-4.90 1.17-1.37 1.00-1.60 12.50-15.50 1.00-1.60 2O 5O 版本:200910E 4/5 R 3DD4612DT NOTE 1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its product either through direct sales or sales agent , thus, for customers, when ordering , please check with our company. 2. We strongly recommend customers check carefully on the trademark when buying our product, if there is any question, please don’t be hesitate to contact us. 3. Please do not exceed the absolute maximum ratings of the device when circuit designing. 4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves the right to make changes in this specification sheet and is subject to change without prior notice. 注意事项 1.吉林华微电子股份有限公司的产品销售分为 直销和销售代理,无论哪种方式,订货时请 与公司核实。 2.购买时请认清公司商标,如有疑问请与公司 本部联系。 3.在电路设计时请不要超过器件的绝对最大额 定值,否则会影响整机的可靠性。 4.本说明书如有版本变更不另外告知 联系方式 吉林华微电子股份有限公司 公司地址:吉林省吉林市深圳街 99 号 邮编:132013 总机:86-432-64678411 传真:86-432-64665812 网址:www.hwdz.com.cn 市场营销部 地址:吉林省吉林市深圳街 99 号 邮编:132013 电话: 86-432-64675588 64675688 64678411-3098/3099 传真: 86-432-64671533 日期 Date 2009-5-11 2009-10-29 旧版本 Last Rev. 200902C 200904D 新版本 CONTACT JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel:86-432-64678411 Fax:86-432-64665812 Web Site:www.hwdz.com.cn MARKET DEPARTMENT ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel: 86-432-64675588 64675688 64678411-3098/3099 Fax: 86-432-64671533 修订内容 Description of Changes 版式 电话号码、订货代码 附录(Appendix):修订记录(Revision History) New Rev. 200904D 200910E 版本:200910E 5/5
3DD4612DT-R-T-N-C 价格&库存

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