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创作活动
BC856W

BC856W

  • 厂商:

    KEC

  • 封装:

  • 描述:

    BC856W - EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING) - KEC(Korea Electronics)

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BC856W 数据手册
BC856W
1. 物料型号: - BC856W/7W/8W,是NPN型晶体管。

2. 器件简介: - 这些是通用目的的PNP型晶体管,适用于开关应用。

3. 引脚分配: - 1. 发射极(Emitter) - 2. 基极(Base) - 3. 集电极(Collector)

4. 参数特性: - 最大额定值(Ta=25℃): - 集电极-基极电压(VCBO):BC856W为-80V,BC857W为-50V,BC858W为-30V。 - 集电极-发射极电压(VCEO):BC856W为-65V,BC857W为-45V,BC858W为-30V。 - 发射极-基极电压(VEBO):所有型号均为-5V。 - 集电极电流(Ic):-100mA。 - 发射极电流(IE):100mA。 - 集电极功率耗散(Pc):100mW。 - 结温(Tj):150℃。 - 存储温度范围(Tsg):-55℃至150℃。 - 电气特性(Ta=25℃): - 集电极截止电流(IcBO):未给出具体数值。 - DC电流增益(hFE):BC856W为125至475,BC857W为125至800,BC858W为125至800。 - 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):BC856W为-0.09至-0.3V,BC857W为-0.25至-0.65V。 - 基极-发射极饱和电压(VBE(sat)):BC856W为-0.7V,BC857W为-0.9V。 - 基极-发射极电压(VBE(ON)):-0.6至-0.75V。 - 过渡频率(fT):150MHz。 - 集电极输出电容(Cob):4.5pF。 - 噪声系数(NF):2.0至10dB。

5. 功能详解: - 这些晶体管是用于互补NPN型BC846W/847W/848W的PNP型晶体管,具有不同的增益分类(A、B、C)。

6. 应用信息: - 适用于一般目的应用和开关应用。

7. 封装信息: - 封装尺寸参数以表格形式给出,包括A到N的不同尺寸参数。
BC856W 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“BC856W”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

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BC856W,115
  •  国内价格
  • 1+0.105
  • 100+0.098
  • 300+0.091
  • 500+0.084
  • 2000+0.0805
  • 5000+0.0784

库存:820