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创作活动
BCW89

BCW89

  • 厂商:

    KEC

  • 封装:

  • 描述:

    BCW89 - EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING) - KEC(Korea Electronics)

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BCW89 数据手册
BCW89
### 物料型号 - 型号:BCW69/70/89 - 封装:SOT-23 - 类型标记: - BCW69:H1 - BCW70:H2 - BCW89:H5

### 器件简介 - 应用:通用应用和开关应用 - 特点:超小型封装晶体管,适用于混合电路,可与NPN型BCW71/72, BCV71互补使用。

### 引脚分配 - 1.发射极(Emitter) - 2.基极(Base) - 3.集电极(Collector)

### 参数特性 - 最大额定值(Ta=25℃): - 集电极-基极电压(VCBO):BCW69/70 -50V,BCW89 -60V - 集电极-发射极电压(VCEO):BCW69/70 -45V,BCW89 -60V - 发射极-基极电压(VEBO):-5V - 集电极电流(Ic):-100mA - 发射极电流(Ie):100mA - 集电极功率耗散(Pc):200mW - 结温(Tj):150℃ - 存储温度范围(Tstp):-65~150℃

### 功能详解 - 电气特性(Ta=25℃): - 集电极-发射极击穿电压(BVCEO):BCW69/70 -45V,BCW89 -60V - 集电极-基极击穿电压(BVcBO):BCW69/70 -50V,BCW89 -60V - 发射极-基极击穿电压(BVeBO):-5V - 集电极截止电流(ICBO):-100nA(Ta=25°C,VcB=-20V, I=0) - DC电流增益(hFE):BCW69/89 90至260,BCW70 150至500 - 基极-发射极电压(VBE(ON)):-600至-750mV - 基极-发射极饱和电压(VBE(sa)):-720至-810mV - 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):-300至-180mV - 转换频率(fT):150MHz - 集电极输出电容(Cab):7.0pF - 噪声系数(NF):10dB

### 应用信息 - 应用领域:通用应用和开关应用,适合用于混合电路。

### 封装信息 - 封装类型:SOT-23 - 封装尺寸:根据SOT-23标准
BCW89 价格&库存

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