KDR331E

KDR331E

  • 厂商:

    KEC

  • 封装:

  • 描述:

    KDR331E - SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE(HIGH SPEED SWITCHING) - KEC(Korea Electronics)

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  • 价格&库存
KDR331E 数据手册
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA HIGH SPEED SWITCHING. FEATURES Low Forward Voltage : VF=0.25(Typ.) @IF=5mA Small Package : ESM. 2 KDR331E SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE E B D 3 DIM A B C D E G H MILLIMETERS _ 1.60 + 0.10 _ 0.85 + 0.10 _ 0.70 + 0.10 0.27+0.10/-0.05 _ 1.60 + 0.10 _ 1.00 + 0.10 0.50 _ 0.13 + 0.05 A G 1 MAXIMUM RATING (Ta=25 CHARACTERISTIC Maximum (Peak) Reverse Voltage Reverse Voltage Maximum (Peak) Forward Current Average Forward Current Surge Current (10ms) Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature Range Operating Temperature Range ) SYMBOL VRM VR IFM IO IFSM PD Tj Tstg Topr RATING 15 10 100 * 50 * 1* 100 125 -55 -40 125 100 UNIT V V mA mA A mW 1. ANODE 1 2. ANODE 2 3. CATHODE J H J C 3 2 1 ESM * : Unit Rating. Total Rating=Unit Rating 1.5 Marking Type Name UW ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 CHARACTERISTIC ) TEST CONDITION IF=1mA IF=5mA IF=50mA VR=10V VR=0V, f=1MHz MIN. TYP. 0.21 0.25 0.35 13 MAX. 0.30 0.50 20 40 A pF V UNIT SYMBOL VF(1) Forward Voltage VF(2) VF(3) Reverse Current Total Capacitance IR CT 2000. 11. 3 Revision No : 0 1/2 KDR331E I F - VF 1 FORWARD CURRENT I F (mA) Ta=23 C I R - VR 10 REVERSE CURRENT I R (A) Ta=23 C 1 0.1 0.1 0.01 0 100 200 300 400 500 FORWARD VOLTAGE V F (mV) 0.01 0 2 4 6 8 10 12 REVERSE VOLTAGE VR (V) C T - VR 14 TOTAL CAPACITANCE C T (pF) 12 10 8 6 4 2 0 0.01 0.1 1 10 20 REVERSE VOLTAGE VR (V) POWER DISSIPATION P (mW) 120 100 80 60 40 20 0 0 25 50 P - Ta 75 100 125 AMBIENT TEMPERATURE Ta ( C) 2000. 11. 3 Revision No : 0 2/2
KDR331E
1. 物料型号:KDR331E

2. 器件简介: - KDR331E是一款肖特基势垒二极管,具有高速开关特性。 - 特点包括低正向电压降(VF=0.25V,典型值@IF=5mA)和小尺寸封装(ESM)。

3. 引脚分配: - 1. 阳极1(ANODE 1) - 2. 阳极2(ANODE 2) - 3. 阴极(CATHODE)

4. 参数特性: - 最大反向峰值电压(VRM):15V - 反向电压(VR):10V - 最大正向峰值电流(IFM):100mA - 平均正向电流(IF):50mA - 浪涌电流(IFSM):1A(10ms) - 功率耗散(PD):100mW - 结温(Tj):125°C - 存储温度范围(Tsg):-55°C至125°C - 工作温度范围(Topr):-40°C至100°C

5. 功能详解: - 正向电压(VF):在不同电流下有不同的典型值,例如在1mA时为0.21V,在5mA时为0.25V,在50mA时为0.35V。 - 反向电流(IR):在10V反向电压下,最大值为20μA。 - 总电容(CT):在0V反向电压和1MHz频率下,范围为13pF至40pF。

6. 应用信息: - 该二极管适用于需要高速开关和低正向电压降的应用场合。

7. 封装信息: - 封装类型为ESM,这是一种小尺寸封装。
KDR331E 价格&库存

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