KDS120-RTK/P

物料型号：KDS120

器件简介：KDS120是KEC公司生产的硅外延型二极管，适用于超高速开关应用。其特点包括小封装、低正向电压、快速反向恢复时间和小总电容。

引脚分配： - 1. CATHODE 1（阴极1） - 2. CATHODE 2（阴极2） - 3. ANODE（阳极）

参数特性： - 最大反向电压（VRM）：85V - 反向电压（VR）：80V - 最大正向电流（IFM）：300mA - 平均正向电流（IF）：100mA - 浪涌电流（IFSM）：2A（10ms） - 功率耗散（Pp）：100mW - 结温（T）：150°C - 存储温度范围（T_sig）：-55°C 至 150°C

功能详解： - 正向电压（VF）：在不同正向电流下有不同的典型值，如1mA时为0.61V，10mA时为0.74V，100mA时为0.92V。 - 反向电流（IR）：在80V反向电压下，典型值为0.5μA。 - 总电容（CT）：在1MHz频率下，典型值为2.2pF。 - 反向恢复时间（trr）：在10mA正向电流下，典型值为1.6ns。

应用信息：KDS120二极管适用于超高速开关应用。

封装信息：USM封装，具体尺寸和标记信息在文档中有详细描述。