KDV175E

厂商：
KEC
封装：
描述：
KDV175E - SILICON EPITAXIAL PIN TYPE DIODE - KEC(Korea Electronics)

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KDV175E 数据手册

SEMICONDUCT OR TECHNICAL DATA VHF～UHF BAND RF ATTENUATOR APPLICATIONS. AGC FOR AM/FM TUNER. CATHODE MARK KDV175E SILICON EPITAXIAL PIN TYPE DIODE FEATURES ・Low Capacitance : CT=0.25[pF] (Typ.) ・Low Series resistance : rS=7[Ω] (Typ.). ・Designed for low Inter Modulation. ・Small Package : ESC. C 1 E 2 D F B A MAXIMUM RATING (Ta=25℃) CHARACTERISTIC Reverse Voltage Forward Current Junction Temperature Storage Temperature Range SYMBOL VR IF Tj Tstg RATING 50 50 150 -55～150 UNIT V mA ℃ ℃ 1. ANODE 2. CATHODE DIM A B C D E F MILLIMETERS _ 1.60 + 0.10 _ 1.20 + 0.10 _ 0.80 + 0.10 _ 0.30 + 0.05 _ 0.60 + 0.10 _ 0.13 + 0.05 ESC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃) CHARACTERISTIC Reverse Voltage Reverse Current Forward Voltage Total Capacitance Series Resistance SYMBOL VR IR VF CT rs TEST CONDITION IR=10μ A VR=50V VF=50mA VR=50V, f=1MHz IF=10mA, f=100MHz MIN. 50 TYP. 0.95 0.25 7.0 MAX. 0.1 UNIT V μ A V pF Ω Marking Type Name UE 2002. 6. 14 Revision No : 1 1/2 KDV175E C T - VR 2 TOTAL CAPACITANCE C T (pF) 1 SERIES RESISTANCE r s (Ω) f=1MHz Ta=25 C rs - IF 2k 1k 500 300 0.4 100 50 30 10 5 2 10µ 100µ f=0.2GHz 1.0 0.8 0.6 0.4 0.6 0.8 f=0.2GHz Ta=25 C 0.5 0.3 1.0 0.1 1 3 5 10 30 5 0 1m 10m 50m REVERSE VOLTAGE VR (V) FORWARD CURRENT I F (A) 2002. 6. 14 Revision No : 1 2/2

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KDV175E

物料型号：KDV175ESILICON EPITAXIAL PIN TYPE DIODE

器件简介：该器件是一款用于VHF至UHF频段的射频衰减器，应用于自动增益控制（AGC）的AM/FM调谐器。特点包括低电容、低串联电阻、为低互调设计以及小型封装。

引脚分配：文档中标识了两个引脚，1为阳极（ANODE），2为阴极（CATHODE）。

参数特性： - 反向电压（VR）：50V - 正向电流（IF）：50mA - 结温（Tj）：150℃ - 储存温度范围（Tstg）：-55℃至150℃

功能详解：该器件具有低电容（CT=0.25pF，典型值）、低串联电阻（rS=7Ω，典型值）和为低互调设计的特点。

应用信息：主要应用于VHF至UHF频段的射频衰减器和AM/FM调谐器的自动增益控制。

封装信息：封装类型为ESC，具体尺寸参数如下： - A尺寸：1.60mm±0.10mm - B尺寸：1.20mm±0.10mm - C尺寸：0.80mm±0.10mm - D尺寸：0.30mm±0.05mm - E尺寸：0.60mm±0.10mm - F尺寸：0.13mm±0.05mm

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