KDV216E

KDV216E

  • 厂商:

    KEC

  • 封装:

  • 描述:

    KDV216E - SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE - KEC(Korea Electronics)

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
KDV216E 数据手册
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA TV TUNING. FEATURES High Capacitance Ratio Low Series Resistance CATHODE MARK C 1 KDV216E VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE E 2 MAXIMUM RATING (Ta=25 CHARACTERISTIC Reverse Voltage Junction Temperature Storage Temperature Range ) SYMBOL VR Tj Tstg RATING 32 125 -55 125 UNIT V D B A F 1. ANODE 2. CATHODE DIM A B C D E F MILLIMETERS _ 1.60 + 0.10 _ 1.20 + 0.10 _ 0.80 + 0.10 _ 0.30 + 0.05 _ 0.60 + 0.10 _ 0.13 + 0.05 ESC Marking Type Name V3 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 CHARACTERISTIC Reverse Current IR C1V Capacitance C2V C25V C28V C1V/C28V Capacitance Ratio C1V/C2V C25V/C28V Series Resistance rs ) TEST CONDITION VR=32V VR=1V, f=1MHz VR=2V, f=1MHz VR=25V, f=1MHz VR=28V, f=1MHz VR=5V, f=470MHz MIN. 19.0 1.75 9.2 1.2 1.035 TYP. 15.0 2.1 10 1.045 MAX. 10 21.0 2.15 0.7 UNIT nA pF pF pF pF - SYMBOL Note : Available in matched group for capacitance to 2.0%. C(Max.)-C(Min.) C(Min.) (VR=1~28V) 0.02 2008. 12. 16 Revision No : 1 1/2 KDV216E CT - V R TOTAL CAPACITANCE CT (pF) 100 rS - VR SERIES RESISTANCE rS (Ω) Ta=25 C f=1MHz 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0.0 0 5 10 15 20 25 30 Ta=25 C f=470MHz 10 1 0 5 10 15 20 25 30 REVERSE VOLTAGE VR (V) REVERSE VOLTAGE VR (V) IR - VR REVERSE CURRENT IR (pA) 100 Ta=25 C 10 1 0 5 10 15 20 25 30 REVERSE VOLTAGE VR (V) 2008. 12. 16 Revision No : 1 2/2
KDV216E
物料型号: - 型号为KDV216E。

器件简介: - KDV216E是一款可变电容量二极管,采用硅平面二极管技术。

引脚分配: - 1. 阳极(Anode) - 2. 阴极(Cathode)

参数特性: - 最大额定值(Ta=25°C): - 反向电压(VR):32V - 结温(Tj):125°C - 存储温度范围(Tsg):-55°C至125°C - 尺寸参数(DIM)(单位:毫米): - A:1.60±0.10 - B:1.20±0.10 - C:0.80±0.10 - D:0.30±0.05 - E:0.60±0.10 - F:0.13±0.05

功能详解: - KDV216E具有高电容比、低串联电阻等特点,适用于电视调谐应用。

应用信息: - 主要应用于电视调谐。

封装信息: - 封装细节未在文档中明确说明,但通常这类二极管会采用小型化的表面贴装封装。
KDV216E 价格&库存

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