KDV240E

KDV240E

  • 厂商:

    KEC

  • 封装:

  • 描述:

    KDV240E - SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE - KEC(Korea Electronics)

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
KDV240E 数据手册
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA ANTENNA TUNNING APPLICATION FEATURES Low Tuning Voltage : VT=3V. High Capacitance Ratio : C0.5V/C3V=2.6(Min.) Excellent C-V Characteristics, and Small Tracking Error. CATHODE MARK C 1 KDV240E VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE E 2 D F B A MAXIMUM RATING (Ta=25 CHARACTERISTIC Reverse Voltage Junction Temperature Storage Temperature Range ) SYMBOL VR Tj Tstg RATING 10 125 -55 125 UNIT V 1. ANODE 2. CATHODE DIM A B C D E F MILLIMETERS _ 1.60 + 0.10 _ 1.20 + 0.10 _ 0.80 + 0.10 _ 0.30 + 0.05 _ 0.60 + 0.10 _ 0.13 + 0.05 ESC Marking Type Name TL ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 CHARACTERISTIC Reverse Current ) TEST CONDITION VR=22V VR=0.5V, f=1MHz VR=1.5V, f=1MHz VR=3V, f=1MHz VR=0.5V, f=470MHz MIN. 3.8 2.1 1.1 2.6 TYP. MAX. 10 5.0 2.7 1.3 1.5 pF UNIT nA SYMBOL IR C0.5V Capacitance C1.5V C3V Capacitance Ratio Series Resistance C0.5V/C3V rS 2007. 6. 11 Revision No : 0 1/2 KDV240E I R - Tj 10 REVERSE CURRENT I R (nA) 2 C T - VR 8 TOTAL CAPACITANCE CT (pF) 7 6 5 4 3 2 1 0 0 1 REVERSE VOLTAGE VR (V) 10 f=1MHz Ta=25 C 10 0 20 40 60 80 100 JUNCTION TEMPERATURE T j ( C) 2007. 6. 11 Revision No : 0 2/2
KDV240E
物料型号: - 型号:KDV240E

器件简介: - KDV240E是一款硅基平面二极管,用于天线调谐应用,具有低调节电压、高电容比和优秀的C-V特性以及小的跟踪误差。

引脚分配: - 1. 阳极(Anode) - 2. 阴极(Cathode)

参数特性: - 反向电压(VR):10V - 结温(Tj):125°C - 存储温度范围(Tstg):-55°C至125°C

功能详解: - 该二极管具有低调节电压(3V),高电容比(最小2.6),优秀的C-V特性和较小的跟踪误差。

应用信息: - 主要应用于天线调谐。

封装信息: - 提供了封装尺寸的具体参数,单位为毫米: - A:1.60±0.10 - B:1.20±0.10 - C:0.80±0.10 - D:0.30±0.05 - E:0.60±0.10 - F:0.13±0.05

电气特性(在25°C下测试): - 反向电流(IR):在22V下,最大10nA - 电容(Co.5v):在0.5V下,最小3.8pF,典型值5.0pF - C1.5v:在1.5V下,最小2.1pF,典型值2.7pF - C3v:在3V下,最小1.1pF,典型值1.3pF - 电容比(Ca.5v/C3v):最小2.6 - 串联电阻(rs):在0.5V下,最大1.5Ω
KDV240E 价格&库存

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