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KDV287E

KDV287E

  • 厂商:

    KEC

  • 封装:

  • 描述:

    KDV287E - VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(UHF SHF TUNING) - KEC(Korea Elec...

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KDV287E 数据手册
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA UHF SHF TUNING. FEATURES Low Series Resistance : rS=1.9 Useful for Small Size Tuner. (Typ.) KDV287E VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE CATHODE MARK High Capacitance Ratio : C2V/C25V=7.6(Typ.) Excellent C-V Characteristics, and Small Tracking Error. C 1 E 2 D F MAXIMUM RATING (Ta=25 CHARACTERISTIC Reverse Voltage Peak Reverse Voltage Junction Temperature Storage Temperature Range ) SYMBOL VR VRM Tj Tstg RATING 30 35(RL=10k 125 -55 125 ) UNIT V V 1. ANODE 2. CATHODE B A DIM A B C D E F MILLIMETERS _ 1.60 + 0.10 _ 1.20 + 0.10 _ 0.80 + 0.10 _ 0.30 + 0.05 _ 0.60 + 0.10 _ 0.13 + 0.05 ESC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 CHARACTERISTIC Reverse Voltage Reverse Current Capacitance Capacitance Capacitance Ratio Series Resistance C(Max.)-C(Min.) C(Min.) (VR=2~25V) VR IR C2V C25V ) TEST CONDITION IR=1 A VR=28V VR=2V, f=1MHz VR=25V, f=1MHz MIN. 30 4.2 0.53 7.3 VR=5V, f=470MHz TYP. 1.9 MAX. 10 5.7 0.68 2.3 UNIT V nA pF pF - SYMBOL C2V/C25V rS Note : Available in matched group for capacitance to 6%. 0.06 Marking Type Name UP 2000. 3. 24 Revision No : 0 1/1
KDV287E
1. 物料型号: - 型号为KEC的UHF SHF TUNING FEATURES,是一种高电容比、低串联电阻的硅外延平面二极管。

2. 器件简介: - 该器件具有高电容比(C2V/C25V=7.6(典型值))、低串联电阻(rS=1.9Ω(典型值))、优秀的C-V特性和小跟踪误差,适用于小型调谐器。

3. 引脚分配: - 引脚1为阳极(ANODE),引脚2为阴极(CATHODE)。

4. 参数特性: - 最大额定值(Ta=25°C): - 反向电压(VR):30V - 峰值反向电压(VRM):35V(R1=10kΩ) - 结温(Tj):125°C - 存储温度范围(Tstg):-55~125°C - 电气特性(Ta=25°C): - 反向电压(VR):30V - 反向电流(IR):10nA(在28V下) - 电容(C2v):4.2~5.7pF(在2V, 1MHz下) - 电容(C25V):0.53~0.68pF(在25V, 1MHz下) - 电容比(C2v/C25v):7.3 - 串联电阻(rs):1.9~2.3Ω(在5V, 470MHz下)

5. 功能详解: - 该器件主要用于调谐应用,特别是在需要高电容比和低串联电阻的场合。

6. 应用信息: - 适用于小型调谐器,特别是在UHF和SHF频段。

7. 封装信息: - 封装尺寸(单位:毫米): - A:1.60+0.10 - B:1.20±0.10 - C:0.80+0.10 - D:0.30+0.05 - E:0.60+0.10 - F:0.13+0.05
KDV287E 价格&库存

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