KDZ9.1FV

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KEC
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KDZ9.1FV - SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE - KEC(Korea Electronics)

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA CONSTANT VOLTAGE REGULATION APPLICATION. REFERENCE VOLTAGE APPLICATION. FEATURES Small Package : TFSC Sharp Breakdown Characteristic. KDZ2.0FV~36FV ZENER DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE CATHODE MARK D C B A DIM A B C D E F E MILLIMETERS _ 1.00 + 0.05 0.80+0.10/-0.05 _ 0.60 + 0.05 _ 0.30 + 0.05 0.40 MAX _ 0.13 + 0.05 MAXIMUM RATING (Ta=25 CHARACTERISTIC Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature Range ) SYMBOL PD * Tj Tstg RATING 100 150 -55 150 , UNIT mW 1. ANODE 2. CATHODE * Mounted on a glass epoxy circuit board of 20 20 pad dimension of 4 4 . TFSC F Marking Type No. **KDZ2.0FV **KDZ2.2FV **KDZ2.4FV **KDZ2.7FV **KDZ3.0FV **KDZ3.3FV **KDZ3.6FV **KDZ3.9FV Marking 1F 7F 8F CF VF WF 2F 3F Y 1P 7P YF ZF YP ZP 2P 3P Type No. KDZ4.3FV KDZ4.7FV KDZ5.1FV KDZ5.6FV KDZ6.2FV KDZ6.8FV KDZ7.5FV KDZ8.2FV Marking 4F 5F 6F 8P 9F BF PF DF Y 4P 5P 6P 8 9P BP PP DP Type No. KDZ9.1FV KDZ10FV KDZ11FV KDZ12FV KDZ13FV KDZ15FV KDZ16FV KDZ18FV Marking EF UF GF HF JF KF 91 LF Y EP UP GP HP JP KP 9 LP Type No. KDZ20FV KDZ22FV KDZ24FV KDZ27FV KDZ30FV KDZ33FV KDZ36FV - Marking MF NF QF RF SF AP TF Y MP NP QP RP SP AF TP - **Under Development 2007. 1. 23 Revision No : 0 1/4 KDZ2.0FV~36FV ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 TYPE No. Grade Min. KDZ2.0FV Y KDZ2.2FV Y KDZ2.4FV Y KDZ2.7FV Y KDZ3.0FV Y KDZ3.3FV Y KDZ3.6FV Y KDZ3.9FV Y KDZ4.3FV Y KDZ4.7FV Y KDZ5.1FV Y KDZ5.6FV Y KDZ6.2FV Y KDZ6.8FV Y KDZ7.5FV Y KDZ8.2FV Y KDZ9.1FV Y KDZ10FV Y 9.77 10.21 8.85 9.40 9.23 10.60 5 15 5 120 0.5 0.5 8.0 8.02 8.50 8.36 9.60 5 18 5 120 0.5 0.5 7.0 7.28 7.70 7.60 8.70 5 20 5 120 0.5 0.5 6.5 6.65 7.00 6.93 7.90 5 23 5 120 0.5 0.5 6.0 6.06 6.40 6.33 7.20 5 25 5 150 0.5 0.5 5.0 5.49 5.80 5.73 6.60 5 30 5 500 0.5 1 3.0 4.98 5.30 5.20 6.00 5 40 5 900 0.5 1 2.5 4.55 4.80 4.75 5.40 5 70 5 1000 0.5 1 1.5 4.17 4.40 4.43 4.90 5 120 5 1000 0.5 5 1.0 3.89 4.00 4.16 4.50 5 130 5 1000 0.5 5 1.0 3.60 3.70 3.845 4.10 5 130 5 1000 0.5 10 1.0 3.25 3.40 3.50 3.80 5 130 5 1000 0.5 10 1.0 2.95 3.10 3.20 3.50 5 130 5 1000 0.5 20 1.0 2.65 2.80 2.90 3.20 5 120 5 1000 0.5 50 1.0 2.40 2.50 2.60 2.90 5 110 5 1000 0.5 120 1.0 2.16 2.28 2.38 2.60 5 100 5 1000 0.5 120 1.0 1.95 2.05 2.15 2.38 5 100 5 1000 0.5 120 1.0 1.85 Max. 2.15 5 100 5 1000 0.5 120 1.0 ) Dynamic Impedance Zz ( ) MAX. Iz (mA) KNEE Dynamic Impedance Zzk ( ) MAX. Iz (mA) Reverse Current IR ( A) MAX. VR(V) Zener Voltage Vz (V) Iz (mA) 2007. 1. 23 Revision No : 0 2/4 KDZ2.0FV~36FV ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 ) Zener Voltage Vz (V) TYPE No. Grade Min. KDZ11FV Y KDZ12FV Y KDZ13FV Y KDZ15FV Y KDZ16FV Y KDZ18FV Y KDZ20FV Y KDZ22FV Y KDZ24FV Y KDZ27FV Y KDZ30FV Y KDZ33FV Y KDZ36FV Y 35.07 36.87 32.15 34.00 33.79 38.00 2 300 2 300 0.5 0.1 27 29.19 31.00 30.69 35.00 2 250 2 250 0.5 0.1 25 26.19 28.00 27.53 32.00 2 200 2 200 0.5 0.1 23 23.72 25.10 24.78 28.90 2 150 2 150 0.5 0.1 21 21.54 22.80 22.47 25.60 5 40 5 200 0.5 0.5 19 19.52 20.80 20.39 23.30 5 30 5 200 0.5 0.5 17 17.56 18.80 18.35 21.20 5 25 5 200 0.5 0.5 15 15.85 16.80 16.51 19.10 5 20 5 150 0.5 0.5 14 14.34 15.30 14.98 17.10 5 18 5 150 0.5 0.5 12 12.91 13.80 13.49 15.60 5 15 5 110 0.5 0.5 11 11.74 12.40 12.24 14.10 5 15 5 110 0.5 0.5 10 10.76 11.40 11.22 12.60 5 15 5 110 0.5 0.5 9.0 10.40 Max. 11.60 5 15 5 120 0.5 0.5 8.5 Iz (mA) Dynamic Impedance Zz ( ) MAX. Iz (mA) KNEE Dynamic Impedance Zzk ( ) MAX. Iz (mA) Reverse Current IR ( A) MAX. VR(V) 2007. 1. 23 Revision No : 0 3/4 KDZ2.0FV~36FV IZ - VZ KDZ2.4FV KDZ3.0FV KDZ3.6FV KDZ4.3FV KDZ5.1FV KDZ6.2FV KDZ6.8FV KDZ7.5FV KDZ8.2FV KDZ9.1FV KDZ10FV KDZ11FV KDZ12FV KDZ13FV KDZ15FV KDZ16FV PD - Ta POWER DISSIPATION PD (mW) 200 * MOUNTED ON A GLASS EPOXY CIRCUIT BOARD OF 20 20mm PAD DIMENSION OF 4 4mm 10 ZENER CURRENT IZ (mA) 8 6 KDZ2.0FV KDZ18FV KDZ20FV KDZ22FV KDZ24FV KDZ27FV KDZ30FV 150 100 4 2 0 0 KDZ33FV KDZ36FV 50 0 0 50 100 150 200 4 8 12 16 20 24 28 30 32 34 36 38 ZENER VOLTAGE VZ (V) AMBIENT TEMPERATURE Ta ( C) γZ - VZ TEMPERATURE COEFFICIENT OF ZENER VOLTAGE γZ (%/ C) 0.12 0.5 30 0.5 5 %/ C mV/ C I Z =0.5mA 5mA 5 0.08 0.04 0 -0.04 0.5mA 20 10 0 -10 -20 -0.08 5mA -0.12 1 3 5 10 30 -30 ZENER VOLTAGE VZ (V) 2007. 1. 23 Revision No : 0 TEMPERATURE COEFFICIENT OF ZENER VOLTAGE γZ (mV/ C) 4/4

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KDZ9.1FV

1. 物料型号： - 型号包括KDZ2.0FV至KDZ36FV，这些型号代表了不同的稳压二极管。

2. 器件简介： - 这些器件是硅平面型稳压二极管，用于恒压和基准电压应用。它们具有小封装、尖锐的击穿特性。

3. 引脚分配： - 1. 阳极（ANODE） - 2. 阴极（CATHODE）

4. 参数特性： - 最大额定值：功率耗散（PD）100mW，结温（TJ）150℃，储存温度范围（Tstg）-55~150℃。

5. 功能详解： - 这些稳压二极管具有不同的额定电压（Zener Voltage Vz），动态阻抗（Dynamic Impedance Zz），拐点动态阻抗（KNEE Dynamic Impedance Zzk），反向电流（Reverse Current IR）。

6. 应用信息： - 适用于恒压调节和基准电压应用。

7. 封装信息： - 器件封装在20mm x 20mm的玻璃环氧电路板上，焊盘尺寸为4mm x 4mm。

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