物料型号：
- KF12N60P
- KF12N60F
器件简介：
该平面条带MOSFET具有快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷和优秀的雪崩特性。主要适用于有源功率因数校正和开关模式电源。
引脚分配：
- GATEN 3.SOURCE（G极，源极）
参数特性：
- 漏源电压（V_DSS）：600V
- 漏极电流（I_D）：12A（25°C时）
- 栅源电压（V_GSS）：±30V
- 导通电阻（R_DS(ON)）：最大0.6Ω（在10V的V_GS下）
- 栅极电荷（Qg）：典型值36nC
功能详解：
- 该器件为N沟道MOS场效应晶体管，具有快速开关时间和低导通电阻，适合用于功率因数校正和开关电源。
- 静态特性：包括漏源击穿电压、栅阈值电压、栅漏电流、导通电阻等。
- 动态特性：包括总栅极电荷、栅源电荷、栅漏电荷、开通延迟时间、开通上升时间、关断延迟时间、关断下降时间、输入电容、输出电容、反向传输电容等。
- 源-漏二极管额定值：包括连续源电流、脉冲源电流、二极管正向电压、反向恢复时间和反向恢复电荷。
应用信息：
- 主要适用于有源功率因数校正和开关模式电源。
封装信息：
- TO-220AB（KF12N60F）
- 提供了详细的封装尺寸参数。
