KRA114S

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KEC
封装：
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KRA114S - EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR - KEC(Korea Electronics)

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. FEATURES With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. A G KRA110S~KRA114S EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR L E B L Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 2 3 1 P P C N EQUIVALENT CIRCUIT C B R1 DIM A B C D E G H J K L M N P MILLIMETERS _ 2.93 + 0.20 1.30+0.20/-0.15 1.30 MAX 0.45+0.15/-0.05 2.40+0.30/-0.20 1.90 0.95 0.13+0.10/-0.05 0.00 ~ 0.10 0.55 0.20 MIN 1.00+0.20/-0.10 7 H M 1. EMITTER 2. BASE 3. COLLECTOR E K SOT-23 MAXIMUM RATING (Ta=25 CHARACTERISTIC Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Collector Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature Range ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC PC Tj Tstg RATING -50 -50 -5 -100 200 150 -55 150 UNIT V V V mA mW Marking MARK SPEC TYPE MARK KRA110S PK KRA111S PM KRA112S PN KRA113S PO KRA114S PP Type Name Lot No. 2002. 7. 9 Revision No : 2 J D 1/4 KRA110S~KRA114S ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 ) CHARACTERISTIC Collector Cut-off Current Emitter Cut-off Current DC Current Gain Collector-Emitter Saturation Voltage Transition Frequency KRA110S KRA111S Input Resistor KRA112S KRA113S KRA114S KRA110S KRA111S Rise Time KRA112S KRA113S KRA114S KRA110S KRA111S Switching Time Storage Time KRA112S KRA113S KRA114S KRA110S KRA111S Fall Time KRA112S KRA113S KRA114S Note : * Characteristic of Transistor Only. tf tstg VO=-5V VIN=-5V RL=1k tr R1 SYMBOL ICBO IEBO hFE VCE(sat) fT * TEST CONDITION VCB=-50V, IE=0 VEB=-5V, IC=0 VCE=-5V, IC=-1mA IC=-10mA, IB=-0.5mA VCE=-10V, IC=-5mA MIN. 120 TYP. -0.1 250 4.7 10 100 22 47 0.2 0.065 0.4 0.1 0.15 2.0 1.7 3.0 2.0 1.5 0.3 0.3 1.7 0.8 1.5 MAX. -100 -100 -0.3 S k V MHz UNIT nA nA 2002. 7. 9 Revision No : 2 2/4 KRA110S~KRA114S h FE - I C COLLECTOR-EMITTER SATURATIN VOLTAGE V CE(sat) (V) -2 -1 -0.5 -0.3 -0.1 -0.05 -0.03 -0.01 -0.1 Ta=100 C Ta=25 C Ta=-25 C 2k DC CURRENT GAIN h FE 1k 500 300 100 50 30 KRA110S KRA110S I C /IB =20 VCE(sat) - I C Ta=100 C Ta=25 C Ta=-25 C VCE =-5V 10 -0.1 -0.3 -1 -3 -10 -30 -100 -0.3 -1 -3 -10 -30 -100 COLLECTOR CURRENT I C (mA) COLLECTOR CURRENT I C (mA) COLLECTOR-EMITTER SATURATIN VOLTAGE V CE(sat) (V) 2k DC CURRENT GAIN h FE 1k 500 300 100 50 30 KRA111S h FE - I C -2 -1 -0.5 -0.3 -0.1 -0.05 -0.03 KRA111S I C /I B =20 VCE(sat) - I C Ta=100 C Ta=25 C Ta=-25 C Ta=100 C Ta=25 C Ta=-25 C VCE =-5V 10 -0.1 -0.3 -1 -3 -10 -30 -100 -0.01 -0.1 -0.3 -1 -3 -10 -30 -100 COLLECTOR CURRENT I C (mA) COLLECTOR CURRENT I C (mA) COLLECTOR-EMITTER SATURATIN VOLTAGE VCE(sat) (V) 2k DC CURRENT GAIN h FE 1k 500 300 100 50 30 KRA112S h FE - I C -2 -1 -0.5 -0.3 -0.1 -0.05 -0.03 KRA112S IC /I B =20 VCE(sat) - I C Ta=100 C Ta=25 C Ta=-25 C Ta=100 C Ta=25 C Ta=-25 C VCE =-5V 10 -0.1 -0.3 -1 -3 -10 -30 -100 -0.01 -0.1 -0.3 -1 -3 -10 -30 -100 COLLECTOR CURRENT I C (mA) COLLECTOR CURRENT I C (mA) 2002. 7. 9 Revision No : 2 3/4 KRA110S~KRA114S h FE - I C COLLECTOR-EMITTER SATURATIN VOLTAGE VCE(sat) (V) -2 -1 -0.5 -0.3 2k DC CURRENT GAIN h FE 1k 500 300 100 50 30 KRA113S KRA113S I C /I B =20 VCE(sat) - I C Ta=100 C Ta=25 C Ta=-25 C -0.1 -0.05 -0.03 -0.01 -0.1 Ta=100 C Ta=25 C Ta=-25 C VCE =-5V 10 -0.1 -0.3 -1 -3 -10 -30 -100 -0.3 -1 -3 -10 -30 -100 COLLECTOR CURRENT I C (mA) COLLECTOR CURRENT I C (mA) COLLECTOR-EMITTER SATURATIN VOLTAGE VCE(sat) (V) 2k DC CURRENT GAIN h FE 1k 500 300 100 50 30 KRA114S h FE - I C -2 -1 -0.5 -0.3 -0.1 -0.05 -0.03 KRA114S I C /I B =20 VCE(sat) - I C Ta=100 C Ta=25 C Ta=-25 C Ta=100 C Ta=25 C Ta=-25 C 10 -0.1 VCE =-5V -0.3 -1 -3 -10 -30 -100 -0.01 -0.1 -0.3 -1 -3 -10 -30 -100 COLLECTOR CURRENT I C (mA) COLLECTOR CURRENT I C (mA) 2002. 7. 9 Revision No : 2 4/4

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KRA114S

### 物料型号 - 型号：KRA110S~KRA114S - 封装：SOT-23

### 器件简介 KRA110S~KRA114S系列是皮塔克斯（Pitax）生产的PNP晶体管，适用于开关应用，如接口电路和驱动电路。这些晶体管内置偏置电阻，简化电路设计，减少零件数量和制造过程。

### 引脚分配 - 1. 发射极（Emitter） - 2. 基极（Base） - 3. 集电极（Collector）

### 参数特性 - 最大额定值（Ta=25°C）： - 集电极-基极电压（VCBO）：-50V - 集电极-发射极电压（VCEO）：-50V - 发射极-基极电压（VEBO）：-5V - 集电极电流（Ic）：-100mA - 集电极功率耗散（Pc）：200mW - 结温（Tj）：150°C - 存储温度范围（Tstg）：-55°C至150°C

### 功能详解 - 电气特性（Ta=25°C）： - 集电极截止电流（ICBO）：-100nA - 发射极截止电流（IEBO）：-100nA - DC电流增益（hFE）：最小值120 - 集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：最小值0.3V - 过渡频率（fT）：最大值250MHz - 输入电阻（R1）：不同型号分别为4.7kΩ、10kΩ、100kΩ、22kΩ、47kΩ - 开关时间（Rise Time）和存储时间（Storage Time）：不同型号有不同值，范围从0.065秒到3.0秒 - 下降时间（Fall Time）：不同型号有不同值，范围从0.3秒到1.7秒

### 应用信息 适用于开关应用，如接口电路和驱动电路。

### 封装信息 - 封装类型：SOT-23 - 尺寸参数：PDF中提供了详细的尺寸参数表，包括A到N的不同尺寸参数。

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