KTA1275

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KEC
封装：
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KTA1275 - EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR - KEC(Korea Electronics)

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA COLOR TV VERT. DEFELECTION OUTPUT APPLICATION. COLOR TV CLASS B SOUND OUTPUT APPLICATION. FEATURES High Voltage : VCEO=-160V. Large Continuous Collector Current Capability. Complementary to KTC3228. C P DEPTH:0.2 KTA1275 EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR B D A S Q K DIM A B C D E F G H J K L M N O P Q R S MILLIMETERS 7.20 MAX 5.20 MAX 0.60 MAX 2.50 MAX 1.15 MAX 1.27 1.70 MAX 0.55 MAX _ 14.00 + 0.50 0.35 MIN _ 0.75 + 0.10 4 G J MAXIMUM RATING (Ta=25 ) CHARACTERISTIC Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Base Current Collector Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature Range SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg RATING -160 -160 -6 -1 -0.5 1 150 -55 150 UNIT V O F H M E F H M H R V V A A W 1 N 2 3 N H L 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE 25 1.25 Φ1.50 0.10 MAX _ 12.50 + 0.50 1.00 TO-92L ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 CHARACTERISTIC Collector Cut-off Current Emitter Cut-off Current Collector-Emitter Breakdown Voltage DC Current Gain Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Voltage Transition Frequency Collector Output Capacitance Note : hFE Classification R:60 120 ) TEST CONDITION VCB=-150V, IE=0 VEB=-6V, IC=0 IC=-10mA, IB=0 VCE=-5V, IC=-200mA IC=-500mA, IB=-50mA IC=-500mA, IB=-50mA VCE=-5V, IC=-5mA VCE=-5V, IC=-200mA VCB=-10V, IE=0, f=1MHz Y:160 320 MIN. -160 60 -0.45 15 TYP. 50 MAX. -1.0 -1.0 320 -1.5 -1.2 -0.75 35 V V V MHz pF UNIT A A V SYMBOL ICBO IEBO V(BR)CEO hFE (Note) VCE(sat) VBE(sat) VBE fT Cob 0:100 200, 2007. 12. 20 Revision No : 3 D 1/3 KTA1275 2007. 12. 20 Revision No : 3 2/3 KTA1275 2007. 12. 20 Revision No : 3 3/3

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KTA1275

### 物料型号 - 型号：KTA1275

### 器件简介 - 应用领域：适用于彩色电视垂直偏转输出和彩色电视B类声音输出。

### 引脚分配 - 引脚1：发射极（Emitter） - 引脚2：集电极（Collector） - 引脚3：基极（Base）

### 参数特性 - 最大额定值： - 集电极-基极电压（VCBO）：-160V - 集电极-发射极电压（VCEO）：-160V - 发射极-基极电压（VEBO）：-6V - 集电极电流（Ic）：-1A - 基极电流（IB）：-0.5A - 集电极功率耗散（Pc）：1W - 结温（TJ）：150°C - 存储温度范围（Tstg）：-55至150°C

### 功能详解 - 电气特性（环境温度Ta=25°C）： - 集电极截止电流（ICBO）：-1.0μA - 发射极截止电流（IEBO）：-1.0μA - 集电极-发射极击穿电压（V(BRCEO)）：-160V - DC电流增益（hFE）：60至320 - 集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：-1.5V - 基极-发射极饱和电压（VBE(sat)）：-1.2V - 基极-发射极电压（VBE）：-0.75V - 过渡频率（fT）：15至50MHz - 集电极输出电容（Cab）：35pF

### 应用信息 - 封装信息：TO-92L

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