KTA1282

厂商：
KEC
封装：
描述：
KTA1282 - EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (HIGH CURRENT) - KEC(Korea Electronics)

数据手册：

下载KTA1282.pdf

立即购买

详情介绍
数据手册
价格&库存

KTA1282 数据手册

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA HIGH CURRENT APPLICATION. FEATURES Complementary to KTC3210. B KTA1282 EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR C A N MAXIMUM RATING (Ta=25 CHARACTERISTIC Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Emitter Current Collector Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature Range ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IE PC Tj Tstg RATING -30 -30 -5 -2 2 625 150 -55 150 UNIT V V V A A mW L K D E G H F F 1 2 3 M C DIM A B C D E F G H J K L M N MILLIMETERS 4.70 MAX 4.80 MAX 3.70 MAX 0.45 1.00 1.27 0.85 0.45 _ 14.00 + 0.50 0.55 MAX 2.30 0.45 MAX 1.00 J 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE TO-92 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 ) CHARACTERISTIC Collector Cut-off Current Emitter Cut-off Current Collector-Emitter Breakdown Voltage Emitter-Base Breakdown Voltage DC Current Gain Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Voltage Transition Frequency Collector Output Capacitance Note : hFE Classification 0:100 200, Y:160 SYMBOL ICBO IEBO V(BR)CEO V(BR)EBO hFE (Note) VCE(sat) VBE fT Cob 320 TEST CONDITION VCB=-30V, IE=0 VEB=-5V, IC=0 IC=-10mA, IB=0 IC=-1mA, IC=0 VCE=-2V, IC=-500mA IC=-1.5A, IB=-0.03A VCE=-2V, IC=-500mA VCE=-2V, IC=-500mA VCB=-10V, IE=0, f=1MHz MIN. -30 -5 100 TYP. 120 48 MAX. -100 -100 320 -2.0 -1.0 V V MHz pF UNIT nA nA V V 1999. 9. 10 Revision No : 0 1/2 KTA1282 I C - VCE COLLECTOR CURRENT I C (mA) -1600 -1400 -1200 -1000 -800 -600 -400 -200 0 0 -2 -4 -6 -8 -10 I B =-1mA 0 -4 -3 -2 -10 -8 -6 COMMON EMITTER Ta=25 C h FE - I C 1k 500 DC CURRENT GAIN h FE 300 Ta=100 C Ta=25 C Ta=-25 C 100 50 30 VCE =-2V 10 -12 -14 -16 -1 -3 -10 -30 -100 -300 -1k -3k COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V) COLLECTOR CURRENT I C (mA) VCE(sat) - I C COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE VCE(sat) (V) COLLECTOR CURRENT I C (mA) -5 -3 -1 -0.5 -0.3 -0.1 -0.05 -0.03 -0.01 -1 -3 -10 -30 -100 -300 -1k -3k COLLECTOR CURRENT I C (mA) -1600 COMMON EMITTER I C /I B=50 I C - VBE -1400 -1200 -1000 Ta=100 C Ta=25 C Ta=-25 C COMMON EMITTER VCE =-2V Ta=100 C Ta=25 C Ta=-25 C -800 -600 -400 -200 0 0 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2 -1.6 -1.8 BASE-EMITTER VOLTAGE VBE (V) PC - Ta COLLECTOR POWER DISSIPATION P C (mW) 700 600 500 400 300 200 100 0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 AMBIENT TEMPERATURE Ta ( C) 1999. 9. 10 Revision No : 0 2/2

下载 PDF

KTA1282

物料型号： - KTA1282

器件简介： - KTA1282是一款外延平面PNP晶体管，适用于高电流应用，与KTC3210互补。

引脚分配： - 1. 发射极（Emitter） - 2. 集电极（Collector） - 3. 基极（Base）

参数特性： - 集-基电压（VCBO）：-30V - 集-射电压（VCEO）：-30V - 发-基电压（VEBO）：-5V - 集电极电流（Ic）：-2A - 发射极电流（IE）：2A - 集电极功耗（Pc）：625mW - 结温（Tj）：150°C - 存储温度范围（Tstg）：-55~150°C

功能详解： - 该晶体管具有以下电气特性： - 集电极截止电流（ICBO）：-100nA - 发射极截止电流（IEBO）：-100nA - 集-射击穿电压（V(BR)CEO）：-30V - 发-基击穿电压（V(BR)EBO）：-5V - DC电流增益（hFE）：100至320 - 集-射饱和电压（VCE(sat)）：-2.0V - 基-发射电压（VBE）：-1.0V - 转换频率（fT）：120MHz - 集电极输出电容（Cob）：48pF

应用信息： - 适用于高电流应用场合。

封装信息： - TO-92封装，具体尺寸参数如下： - A：最大4.70毫米 - B：最大4.80毫米 - C：最大3.70毫米 - D：0.45毫米 - E：1.00毫米 - F：1.27毫米 - G：0.85毫米 - H：0.45毫米 - J：14.00-0.50毫米 - K：最大0.55毫米 - L：2.30毫米 - M：最大0.45毫米 - N：1.00毫米

KTA1282 价格&库存

-> 查询更多价格&库存

很抱歉，暂时无法提供与“KTA1282”相匹配的价格&库存，您可以联系我们找货

免费人工找货

搜索历史

KTA1282

相关技术文章