KTC8050

1. 物料型号： - KTC8050 EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

2. 器件简介： - KTC8050是由SEMICONDUCTOR KOREA ELECTRONICS CO.LTD.生产的高电流应用的外延平面NPN晶体管，与KTC8550互补。

3. 引脚分配： - 1.发射极（EMITTER） - 2.基极（BASE） - 3.集电极（COLLECTOR） - 封装类型为TO-92。

4. 参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：35V - 集电极-发射极电压（VCEO）：30V - 发射极-基极电压（VEBO）：5V - 集电极电流（Ic）：800mA - 发射极电流（IE）：-800mA（注意负号表示方向） - 集电极功率耗散（Pc）：625mW - 结温（T）：150°C - 存储温度范围（Tslg）：-55°C至150°C

5. 功能详解： - 电气特性（Ta=25°C）： - 集电极截止电流（IcBO）：最大50nA - 集电极-基极击穿电压（V(BR)CBO）：最小35V - 集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO）：最小30V - DC电流增益（hFE(1)）：在Vcg=1V, Ic=50mA条件下，最小100，典型值至300 - hFE(2)：在VcE=1V, Ic=350mA条件下，最小60 - 集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：在Ic=500mA, IB=20mA条件下，最大0.5V - 基极-发射极电压（VBE）：在VcE=1V, Ic=500mA条件下，最大1.2V - 过渡频率（fr）：在VcE=5V, Ic=10mA条件下，最大120MHz - 集电极输出电容（Cob）：在VcB=10V, f=1MHz, I=0条件下，最大13pF

6. 应用信息： - 该晶体管适用于高电流应用。

7. 封装信息： - 封装尺寸参数以毫米为单位，具体参数如下： - A：最大4.70 - B：最大4.80 - C：最大3.70 - D：0.45 - E：1.00 - F：1.27 - G：0.85 - H：0.45 - 总长度：14.00，公差0.50 - K：最大0.55 - L：2.30 - M：最大0.45 - N：1.00