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创作活动
KTN2369AS

KTN2369AS

  • 厂商:

    KEC

  • 封装:

  • 描述:

    KTN2369AS - EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH SPEED SWITCHING) - KEC(Korea Electronics)

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KTN2369AS 数据手册
KTN2369AS
1. 物料型号: - KTN2369S - KTN2369AS

2. 器件简介: - 该器件是韩国电子有限公司生产的高速开关应用的双极型晶体管,具有优异的开关特性。

3. 引脚分配: - 1. EMITTER - 2. BASE - 3. COLLECTOR

4. 参数特性: - 最大额定值(Ta=25°C): - 集电极-基极电压(VCBO):40V - 集电极-发射极电压(VCEO):15V - 发射极-基极电压(VEBO):4.5V - 集电极电流(Ic):500mA - 集电极功耗(Ta=25°C)(Pc):350mW - 结温(Tj):150°C - 存储温度范围(Tslg):-55°C至150°C

5. 功能详解: - 电气特性(Ta=25°C): - 集电极截止电流(ICBO):最大0.4uA - 集电极-基极击穿电压(V(BR)CBO):最小40V - 集电极-发射极击穿电压(V(BR)CEO):最小15V - 发射极-基极击穿电压(V(BR)EBO):最小4.5V - DC电流增益(hFE):KTN2369S为40至120,KTN2369AS为120 - 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):最大0.25V - 基极-发射极饱和电压(VBE(sat)):0.70V至0.85V - 集电极输出电容(Cab):最大4.0pF - 存储时间(tstg):KTN2369AS为13ns - 导通时间(ton):最大12ns - 关闭时间(toff):KTN2369AS为最大15ns

6. 应用信息: - 该晶体管适用于高速开关应用。

7. 封装信息: - 封装在99.5%氧化铝上,尺寸为10x8x0.6mm,SOT-23封装。 - 封装标记规格如下: - A:299:0.20 - B:1.30+0.20/-0.15 - C:1.30MAX - D:0.45+0.15/-0.05 - E:2.40+0.30/-0.20 - G:1.90 - H:0.95 - J:0.13+0.10/-0.05 - K:0.00-0.10 - L:0.55 - N:1.00+0.20/-0.10 - P:7
KTN2369AS 价格&库存

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