KU035N06P

厂商：
KEC
封装：
描述：
KU035N06P - N-ch Trench MOS FET - KEC(Korea Electronics)

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA General Description T his Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for DC/DC Converter, Synchronous Rectification and a load switch in battery powered applications FEATURES ・VDSS= 60V, ID= 160A ・Drain-Source ON Resistance : RDS(ON)=3.5mΩ(Max.) @VGS = 10V D N N A KU035N06P N-ch Trench MOS FET O C F E G B Q DIM MILLIMETERS _ 9.9 + 0.2 A B C D E I K M L J H P F G H I J K L M N O 15.95 MAX 1.3+0.1/-0.05 _ 0.8 + 0.1 _ 3.6 + 0.2 _ 2.8 + 0.1 3.7 0.5+0.1/-0.05 1.5 _ 13.08 + 0.3 1.46 _ 1.4 + 0.1 _ 1.27 + 0.1 _ 2.54 + 0.2 _ 4.5 + 0.2 _ 2.4 + 0.2 _ 9.2 + 0.2 MAXIMUM RATING (Tc=25℃) CHARACTERISTIC Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage @TC=25℃ Drain Current @TC=100℃ Pulsed (Note1) Single Pulsed Avalanche Energy (Note 2) Repetitive Avalanche Energy (Note 1) Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3) Drain Power Dissipation Tc=25℃ Derate above 25℃ SYMBOL VDSS VGSS ID IDP EAS EAR dv/dt PD Tj Tstg RATING 60 ±20 160* 101 480* 960 12 4.5 167 1.33 150 -55 ~ 150 mJ mJ V/ns W W/℃ ℃ ℃ A UNIT V V 1 2 3 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE P Q TO-220AB Maximum Junction Temperature Storage Temperature Range Thermal Characteristics Thermal Resistance, Junction-to-Case Thermal Resistance, Junction-to-Ambient RthJC RthJA 0.75 62.5 ℃/W ℃/W * : Drain current limited by maximum junction temperature. Calculated continuous Current based on maximum allowable junction temperature PIN CONNECTION D G S 2011. 1. 12 Revision No : 0 1/7 KU035N06P ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc=25℃) CHARACTERISTIC SYMBOL TEST CONDITION MIN. TYP. MAX. UNIT Static Drain-Source Breakdown Voltage Breakdown Voltage Temperature Coefficient Drain Cut-off Current Gate Threshold Voltage Gate Leakage Current Drain-Source ON Resistance BVDSS ΔBVDSS/ΔTj IDSS Vth IGSS RDS(ON) ID=250μ VGS=0V A, ID=5mA, Referenced to 25℃ VDS=60V, VGS=0V, VDS=VGS, ID=250μ A VGS=±20V, VDS=0V VGS=10V, ID=80A 60 2.0 0.06 2.9 10 4.0 ±100 3.5 V V/℃ μ A V nA mΩ Dynamic Total Gate Charge Gate-Source Charge Gate-Drain Charge Turn-on Delay time Turn-on Rise time Turn-off Delay time Turn-off Fall time Input Capacitance Output Capacitance Reverse Transfer Capacitance Source-Drain Diode Ratings Continuous Source Current Pulsed Source Current Diode Forward Voltage Reverse Recovery Time Reverse Recovery Charge IS ISP VSD trr Qrr VGS

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KU035N06P

物料型号： - 型号：KU035N06P

器件简介： - 该N沟道沟槽MOSFET具有快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷和优秀的雪崩特性。主要适用于DC/DC转换器、同步整流以及电池供电应用中的负载开关。

引脚分配： - GATE（1），DRAIN（2），SOURCE（3）

参数特性： - 漏源电压（V_DSS）：60V - 栅源电压（V_Gss）：±20V - 漏电流（I_D）：25°C时160A，100°C时101A，脉冲（Note1）480A - 单脉冲雪崩能量（EAs）（Note2）：960mJ - 重复雪崩能量（EAR）（Note1）：12mJ - 峰值二极管恢复dv/dt（Note3）：4.5V/ns - 漏极功耗（PD）：25°C时167W，超过25°C时1.33W/°C - 最大结温（Tj）：150°C - 存储温度范围（T_stg）：-55~150°C - 热特性： - 结到外壳热阻（RthJc）：0.75°C/W - 结到环境热阻（RthJA）：62.5°C/W

功能详解： - 静态特性包括漏源击穿电压、漏截止电流、栅阈值电压和栅源漏电流。 - 动态特性包括总栅极电荷、栅源电荷、栅漏电荷、开通延迟时间、开通上升时间、关断延迟时间和关断下降时间。 - 输入电容、输出电容和反向传输电容。 - 源-漏二极管额定值，包括连续源电流、脉冲源电流、二极管正向电压、反向恢复时间和反向恢复电荷。

应用信息： - 主要适用于DC/DC转换器、同步整流以及电池供电应用中的负载开关。

封装信息： - TO-220AB封装。

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