1. 物料型号：
- 型号为KU047N08P。
2. 器件简介：
- 该N沟道沟槽MOSFET具有快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷和优秀的雪崩特性。主要适用于DC/DC转换器、同步整流和电池供电应用中的负载开关。
3. 引脚分配：
- 1. GATE（栅极）
- 2. DRAIN（漏极）
- 3. SOURCE（源极）
4. 参数特性：
- 最大漏源电压（V_DSS）：75V
- 漏源导通电阻（R_DS(ON)）：最大4.7毫欧，@V_GS=10V时
- 栅源电压（V_Gss）：±20V
- 漏极电流（I_D）：25°C时130A，100°C时83A，脉冲（Note1）400A
- 单脉冲雪崩能量（EAs）：700mJ
- 重复雪崩能量（EAR）：9mJ
- 峰值二极管恢复dv/dt：4.5V/ns
- 漏极功耗（PD）：25°C时167W，超过25°C时1.33W/°C
- 最大结温（Tj）：150°C
- 存储温度范围（T_stg）：-55~150°C
- 热阻：结到外壳（RthJc）0.75°C/W，结到环境（RthJA）62.5°C/W
5. 功能详解：
- 该器件提供了详细的电气特性表，包括静态和动态参数，如漏源击穿电压、栅极阈值电压、栅极漏电流、导通电阻、总栅极电荷等。
6. 应用信息：
- 适用于DC/DC转换器、同步整流和电池供电应用中的负载开关。
7. 封装信息：
- 封装类型为TO-220AB。
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