MMBTA43

物料型号： - MMBTA42 - MMBTA43

器件简介： MMBTA42/43是由SEMICONDUCTOR KOREA ELECTRONICS CO,LTD.生产的轴向PNP晶体管，适用于高电压应用和电话应用。

引脚分配： 1. 发射极（Emitter） 2. 基极（Base） 3. 集电极（Collector）

参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：MMBTA42为300V，MMBTA43为200V - 集电极-发射极电压（VCEO）：MMBTA42为300V，MMBTA43为200V - 发射极-基极电压（VEBO）：5.0V - 集电极电流（Ic）：500mA - 发射极电流（IE）：-500mA - 集电极功率耗散（Pc）：350mW - 结温（Tj）：150°C - 存储温度（Tsg）：55~150°C

功能详解： - 集电极-基极击穿电压（V(BR)CBO）：MMBTA42和MMBTA43的最小值为200V - 集电极-发射极击穿电压（V(BE)CEO）：MMBTA42和MMBTA43分别为300V和200V - DC电流增益（hFE）：在不同集电极电流下，最小值为40 - 集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：在20mA集电极电流下，最小值为0.5V - 基极-发射极饱和电压（VBE(sat)）：在20mA集电极电流下，最小值为0.9V - 过渡频率（fr）：在20V集电极电压和10mA集电极电流下，最小值为50MHz - 集电极输出电容（Cob）：MMBTA42为3.0pF，MMBTA43为4.0pF

应用信息： 适用于高电压应用和电话应用。

封装信息： - 封装类型：SOT-23 - 尺寸参数：PDF中提供了详细的尺寸参数表，包括A到P的不同尺寸。