MMBTA63_08

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KEC
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MMBTA63_08 - EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR - KEC(Korea Electronics)

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA GENERAL PURPOSE APPLICATION. DARLINGTON TRANSISTOR. MMBTA63/64 EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR L E B L A G MAXIMUM RATING (Ta=25 CHARACTERISTIC Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage DC Collector Current Pulse Collector Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature Range ) SYMBOL VCBO VCES VEBO IC ICP PC * Tj Tstg RATING -30 -30 -10 -500 -1 350 150 -55 150 UNIT V 2 3 1 MMBTA63/64 MMBTA63/64 P P C V V mA DIM A B C D E G H J K L M N P MILLIMETERS _ 2.93 + 0.20 1.30+0.20/-0.15 1.30 MAX 0.45+0.15/-0.05 2.40+0.30/-0.20 1.90 0.95 0.13+0.10/-0.05 0.00 ~ 0.10 0.55 0.20 MIN 1.00+0.20/-0.10 7 N H M 1. EMITTER A mW 2. BASE 3. COLLECTOR K SOT-23 * : Package Mounted On 99.5% Alumina 10 8 0.6mm. ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 CHARACTERISTIC Collector-Emitter Breakdown Voltage Collector Cut-off Current Emitter Cut-off Current MMBTA63 MMBTA64 DC Current Gain MMBTA63 MMBTA64 Collector-Emitter Saturation Voltage Base Emitter Voltage Current Gain Bandwith Product MMBTA63/64 MMBTA63/64 MMBTA63/64 ) TEST CONDITION IC=-0.1mA, IB=0 VCB=-30V, IE=0 VEB=-10V, IC=0 IC=-10mA, VCE=-5V MIN. -30 5,000 10,000 10,000 20,000 125 TYP. MAX. -0.1 -0.1 -1.5 -2.0 V V MHz UNIT V A A SYMBOL V(BR)CES ICBO IEBO hFE(1) hFE(2) VCE(sat) VBE fT IC=-100mA, VCE=-5V IC=-100mA, IB=-0.1mA IC=-100mA, VCE=-5V IC=-10mA, f=100MHz VCE=-5V *Pulse Test : Pulse Width 300 S, Duty Cycle 2.0% MARK SPEC TYPE MARK MMBTA63 AGX MMBTA64 AFX Marking Lot No. Type Name AX 2008. 8. 29 Revision No : 5 J D 1/2 MMBTA63/64 CURRENT GAIN BANDWIDTH PRODUCT f T (MHz) h FE - I C 1M DC CURRENT GAIN h FE 300k 100k 30k 10k 3k 1k -1 VCE =-5V f T - IC 1k 300 100 30 10 3 1 -1 -3 -10 -30 -100 -300 -1k VCE =-5V -3 -10 -30 -100 -300 -1k COLLECTOR CURRENT I C (mA) COLLECTOR CURRENT I C (mA) VBE(sat) , VCE(sat) - I C I C =1000I B VBE(sat) I C - V BE COLLECTOR CURRENT I C (mA) -200 VCE =-5V -10 SATURATION VOLTAGE VBE(sat) , VCE(sat) (V) -3 -1 V CE(sat) -100 -30 -0.3 -0.1 -0.03 -0.01 -1 -3 -10 -30 -100 -300 -1k -10 -3 -1 0 -0.4 -0.8 -1.2 -1.6 -2.0 -2.4 COLLECTOR CURRENT I C (mA) BASE-EMITTER VOLTAGE VBE (V) 2008. 8. 29 Revision No : 5 2/2

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MMBTA63_08

1. 物料型号： - 型号为MMBTA63/64。

2. 器件简介： - 该器件是通用目的的达林顿晶体管，具有外延平面PNP结构。

3. 引脚分配： - 引脚1：发射极（Emitter） - 引脚2：基极（Base） - 引脚3：集电极（Collector）

4. 参数特性： - 最大额定值（Ta=25°C）： - 集电极-发射极电压（VCES）：-30V - 发射极-基极电压（VEBO）：-10V - 集电极电流（Ic）：-500mA（直流） - 脉冲集电极电流（Icp）：-1A - 集电极功率耗散（Pc）：350mW - 结温（TJ）：150°C - 存储温度范围（Tstg）：-55°C至150°C

5. 功能详解： - 电气特性（Ta=25°C）： - 集电极-发射极击穿电压（V(BRCES)）：-30V - 集电极截止电流（ICBO）：-0.1A - 发射极截止电流（IEBO）：-0.1A - 直流电流增益（hFE）： - MMBTA63：5,000至10,000 - MMBTA64：10,000至20,000 - 集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：-1.5V - 基极-发射极电压（VBE）：-2.0V - 电流增益-带宽积（fr）：125MHz

6. 应用信息： - 该器件适用于通用目的，特别是需要高电流增益和高功率处理的应用。

7. 封装信息： - 封装类型为SOT-23，具体尺寸参数如下： - A：2.93±0.20毫米 - B：1.30+0.20/-0.15毫米 - C：1.30 MAX毫米 - D：0.45+0.15/-0.05毫米 - E：2.40-0.30/-0.20毫米 - G：1.90毫米 - H：0.95毫米 - J：0.13-0.10-0.05毫米 - K：0.00~0.10毫米 - L：0.55毫米 - M：0.20 MIN毫米 - N：1.00+0.20/-0.10毫米

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