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MPSA05

MPSA05

  • 厂商:

    KEC

  • 封装:

  • 描述:

    MPSA05 - EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (DRIVER STAGE AMPLIFIER, VOLTAGE AMPLIFIER) - KEC(Korea Ele...

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MPSA05 数据手册
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS. VOLTAGE AMPLIFIER APPLICATIONS. B MPSA05 EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR C Complementary to MPSA55. Driver Stage Application of 20 to 25 Watts Amplifiers. K D E G N A FEATURES MAXIMUM RATING (Ta=25 CHARACTERISTIC Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Emitter Current Collector Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IE PC Tj Tstg RATING 60 60 6 500 -500 625 150 -55 150 UNIT F H F V L V V mA mA mW 1 2 3 M C DIM A B C D E F G H J K L M N MILLIMETERS 4.70 MAX 4.80 MAX 3.70 MAX 0.45 1.00 1.27 0.85 0.45 _ 14.00 + 0.50 0.55 MAX 2.30 0.45 MAX 1.00 J 1. EMITTER 2. BASE 3. COLLECTOR TO-92 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 CHARACTERISTIC Collector Cut-off Current Emitter Cut-off Current Collector-Emitter Breakdown Voltage DC Current Gain Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Voltage Transition Frequency Collector Output Capacitance ) TEST CONDITION VCB=60V, IE=0 VCE=60V, IB=0 IC=5mA, IB=0 VCE=1V, IC=10mA VCE=1V, IC=100mA IC=100mA, IB=10mA VCE=1V, IC=100mA VCE=1V, IC=10mA VCB=10V, IE=0, f=1MHz MIN. 60 100 100 80 TYP. 10 MAX. 100 100 0.25 1.2 V V MHz pF UNIT nA nA V ICBO ICEO SYMBOL V(BR)CEO hFE(1) hFE(2) VCE(sat) VBE fT Cob 1998. 1. 9 Revision No : 2 1/1
MPSA05
1. 物料型号:MPS A05,为外延平面NPN晶体管。 2. 器件简介:MPS A05是与MPS A55互补的晶体管,适用于20至25瓦放大器的驱动级应用。 3. 引脚分配:1. 发射极(EMITTER)2. 基极(BASE)3. 集电极(COLLECTOR)。 4. 参数特性: - 集电极-基极电压(VCBO):60V - 集电极-发射极电压(VCEO):60V - 发射极-基极电压(VEBO):6V - 集电极电流(IC):500mA - 发射极电流(IE):-500mA - 集电极功率耗散(PC):625mW - 结温(Tj):150℃ - 存储温度:-55至150℃ 5. 功能详解:包括电气特性,例如集电极截止电流(ICBO)、发射极截止电流(ICEO)、集电极-发射极击穿电压(V(BR)CEO)、直流电流增益(hFE)、集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))、基极-发射极电压(VBE)和过渡频率(fT)等。 6. 应用信息:适用于驱动级放大器应用。 7. 封装信息:TO-92封装。
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