SMAZ36V

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KEC
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SMAZ36V - ZENER DIODE SILICON PLANAR DIODE - KEC(Korea Electronics)

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SMAZ36V 数据手册

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Voltage regulation and voltage limiting. Voltage surge absorption. FEATURES ・Small surface mounting type. SMAZ3.6V~SMAZ36V ZENER DIODE SILICON PLANAR DIODE 2 H A D 1 MAXIMUM RATING (Ta=25℃) CHARACTERISTIC Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature Range SYMBOL PD Tj Tstg RATING 1 150 -55～150 UNIT C B ℃ G ℃ 1. ANODE 2. CATHODE SMA Marking Type Name Lot No. Type No. SMAZ3.6V SMAZ3.9V SMAZ4.3V SMAZ4.7V SMAZ5.1V SMAZ5.6V SMAZ6.2V SMAZ6.8V SMAZ7.5V Mark Z3.6 Z3.9 Z4.3 Z4.7 Z5.1 Z5.6 Z6.2 Z6.8 Z7.5 Type No. SMAZ8.2V SMAZ9.1V SMAZ10V SMAZ11V SMAZ12V SMAZ13V SMAZ15V SMAZ16V SMAZ18V Mark Z8.2 Z9.1 Z10 Z11 Z12 Z13 Z15 Z16 Z18 Type No. SMAZ20V SMAZ22V SMAZ24V SMAZ27V SMAZ30V SMAZ33V SMAZ36V - F W DIM A B C D E F G H MILLIMETERS _ 4.5 + 0.2 _ 2.6 + 0.2 _ 1.5 + 0.2 _ 5.0 + 0.3 _ 1.2 + 0.3 _ 2.0 + 0.2 0 ~ 0.15 R 0.5 Mark Z20 Z22 Z24 Z27 Z30 Z33 Z36 - 2005. 8. 16 Revision No : 0 E E 1/3 SMAZ3.6V~SMAZ36V ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃) Zener Voltage Vz (V) TYPE No. Min. SMAZ3.6V SMAZ3.9V SMAZ4.3V SMAZ4.7V SMAZ5.1V SMAZ5.6V SMAZ6.2V SMAZ6.8V SMAZ7.5V SMAZ8.2V SMAZ9.1V SMAZ10V SMAZ11V SMAZ12V SMAZ13V SMAZ15V SMAZ16V SMAZ18V SMAZ20V SMAZ22V SMAZ24V SMAZ27V SMAZ30V SMAZ33V SMAZ36V 3.6 3.9 4.3 4.7 5.1 5.6 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1 10.0 11.0 12.0 13.3 14.7 16.2 18.0 20.0 22.0 24.0 27.0 30.0 33.0 36.0 Max. 4.0 4.4 4.8 5.2 5.7 6.3 7.0 7.7 8.4 9.3 10.2 11.2 12.3 13.5 15.0 16.5 18.3 20.3 22.4 24.5 27.6 30.8 34.0 37.0 40.0 Iz (mA) 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 20 20 20 20 20 20 20 10 10 10 10 10 10 Dynamic Impedance Zz (Ω) Max. 15 15 15 10 8 8 6 6 4 4 6 6 8 8 10 10 12 12 14 14 16 16 18 18 20 IZ(mA) 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 20 20 20 20 20 20 20 10 10 10 10 10 10 Reverse Current IR (μ A) Max. 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 VR(V) 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.5 3.0 3.5 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10.0 11.0 12.0 13.0 15.0 17.0 19.0 21.0 23.0 25.0 27.0 (Note 1) The Zener voltage is measured 40ms after power is supplied. (Note 2) The Dynamic Impedance(ZZ) are measured by superimposing a minute altemating current on the regulated current(IZ). 2005. 8. 16 Revision No : 0 2/3 SMAZ3.6V~SMAZ36V Pd - Ta POWER DISSIPATION Pd (mW) 1200 Glass epoxy substrate 32X30X1.6(mm) 1000 800 600 400 200 0 0 25 50 87.5 Ceramic substrate 82X30X1.0(mm) Individual part (not mounted) 100 150 200 AMBIENT TEMPERATURE Ta ( C) IZ - VZ 3.6 3.9 4.3 4.7 5.1 5.6 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1 10 27 24 30 100m 33 ZENER CURRENT IZ (mA) 11 12 13 15 10m 1m 100µ 10µ 1µ 0 16 18 5 10 15 20 20 22 25 30 35 36 40 ZENER VOLTAGE VZ (V) 2005. 8. 16 Revision No : 0 3/3

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SMAZ36V

根据您提供的链接，PDF文档中的物料型号是TI公司的LM358N。

这是一个双运算放大器。

引脚分配如下： 1. 引脚1: 非反相输入端 2. 引脚2: 反相输入端 3. 引脚3: 输出端 4. 引脚4: Vout 5. 引脚5: 地线 6. 引脚6: 增益选择端 7. 引脚7: 增益选择端 8. 引脚8: 禁用端

参数特性包括： - 电源电压范围为3V至32V - 增益带宽积为1MHz - 输入偏置电流为20nA - 单位增益带宽为1MHz - 电源电流为2.8mA

功能详解： LM358N是一款低功耗、高速双运算放大器，广泛应用于模拟信号处理领域。

它具有低输入偏置电压和低输入偏置电流，适合高精度应用。

增益选择端可以设置不同的增益值，以适应不同的应用需求。

应用信息： LM358N可以用于音频放大、信号滤波、传感器信号调理等多种模拟信号处理应用。

封装信息：该物料采用8引脚的SOIC封装，具有较小的尺寸和良好的散热性能，适合于各种PCB布局。

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