SMAZ8.2V

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KEC
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SMAZ8.2V - ZENER DIODE SILICON PLANAR DIODE - KEC(Korea Electronics)

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SMAZ8.2V 数据手册

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Voltage regulation and voltage limiting. Voltage surge absorption. FEATURES ・Small surface mounting type. SMAZ3.6V~SMAZ36V ZENER DIODE SILICON PLANAR DIODE 2 H A D 1 MAXIMUM RATING (Ta=25℃) CHARACTERISTIC Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature Range SYMBOL PD Tj Tstg RATING 1 150 -55～150 UNIT C B ℃ G ℃ 1. ANODE 2. CATHODE SMA Marking Type Name Lot No. Type No. SMAZ3.6V SMAZ3.9V SMAZ4.3V SMAZ4.7V SMAZ5.1V SMAZ5.6V SMAZ6.2V SMAZ6.8V SMAZ7.5V Mark Z3.6 Z3.9 Z4.3 Z4.7 Z5.1 Z5.6 Z6.2 Z6.8 Z7.5 Type No. SMAZ8.2V SMAZ9.1V SMAZ10V SMAZ11V SMAZ12V SMAZ13V SMAZ15V SMAZ16V SMAZ18V Mark Z8.2 Z9.1 Z10 Z11 Z12 Z13 Z15 Z16 Z18 Type No. SMAZ20V SMAZ22V SMAZ24V SMAZ27V SMAZ30V SMAZ33V SMAZ36V - F W DIM A B C D E F G H MILLIMETERS _ 4.5 + 0.2 _ 2.6 + 0.2 _ 1.5 + 0.2 _ 5.0 + 0.3 _ 1.2 + 0.3 _ 2.0 + 0.2 0 ~ 0.15 R 0.5 Mark Z20 Z22 Z24 Z27 Z30 Z33 Z36 - 2005. 8. 16 Revision No : 0 E E 1/3 SMAZ3.6V~SMAZ36V ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃) Zener Voltage Vz (V) TYPE No. Min. SMAZ3.6V SMAZ3.9V SMAZ4.3V SMAZ4.7V SMAZ5.1V SMAZ5.6V SMAZ6.2V SMAZ6.8V SMAZ7.5V SMAZ8.2V SMAZ9.1V SMAZ10V SMAZ11V SMAZ12V SMAZ13V SMAZ15V SMAZ16V SMAZ18V SMAZ20V SMAZ22V SMAZ24V SMAZ27V SMAZ30V SMAZ33V SMAZ36V 3.6 3.9 4.3 4.7 5.1 5.6 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1 10.0 11.0 12.0 13.3 14.7 16.2 18.0 20.0 22.0 24.0 27.0 30.0 33.0 36.0 Max. 4.0 4.4 4.8 5.2 5.7 6.3 7.0 7.7 8.4 9.3 10.2 11.2 12.3 13.5 15.0 16.5 18.3 20.3 22.4 24.5 27.6 30.8 34.0 37.0 40.0 Iz (mA) 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 20 20 20 20 20 20 20 10 10 10 10 10 10 Dynamic Impedance Zz (Ω) Max. 15 15 15 10 8 8 6 6 4 4 6 6 8 8 10 10 12 12 14 14 16 16 18 18 20 IZ(mA) 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 20 20 20 20 20 20 20 10 10 10 10 10 10 Reverse Current IR (μ A) Max. 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 VR(V) 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.5 3.0 3.5 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10.0 11.0 12.0 13.0 15.0 17.0 19.0 21.0 23.0 25.0 27.0 (Note 1) The Zener voltage is measured 40ms after power is supplied. (Note 2) The Dynamic Impedance(ZZ) are measured by superimposing a minute altemating current on the regulated current(IZ). 2005. 8. 16 Revision No : 0 2/3 SMAZ3.6V~SMAZ36V Pd - Ta POWER DISSIPATION Pd (mW) 1200 Glass epoxy substrate 32X30X1.6(mm) 1000 800 600 400 200 0 0 25 50 87.5 Ceramic substrate 82X30X1.0(mm) Individual part (not mounted) 100 150 200 AMBIENT TEMPERATURE Ta ( C) IZ - VZ 3.6 3.9 4.3 4.7 5.1 5.6 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1 10 27 24 30 100m 33 ZENER CURRENT IZ (mA) 11 12 13 15 10m 1m 100µ 10µ 1µ 0 16 18 5 10 15 20 20 22 25 30 35 36 40 ZENER VOLTAGE VZ (V) 2005. 8. 16 Revision No : 0 3/3

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SMAZ8.2V

1. 物料型号： - 型号包括SMAZ3.6V至SMAZ36V，标记为Z3.6至Z36。

2. 器件简介： - 这些器件是小表面贴装型硅平面整流二极管，用于电压调节和电压限制，以及吸收电压突波。

3. 引脚分配： - 1. 阳极（ANODE） - 2. 阴极（CATHODE）

4. 参数特性： - 最大额定值（Ta=25℃）： - 功率耗散（PD）：1W - 结温（Tj）：150℃ - 存储温度范围（Tstg）：-55至150℃

5. 功能详解： - 这些器件具有动态阻抗（Zz），稳压二极管电压（Vz），反向电流（IR），以及反向电压（VR）等电气特性。

6. 应用信息： - 适用于需要电压调节和电压限制的应用场合。

7. 封装信息： - 封装尺寸（DIM）以毫米为单位，具体尺寸如下： - A：4.5+0.2 - B：2.6±0.2 - C：1.5+0.2 - D：5.0±0.3 - E：1.2+0.3 - F：2.0±0.2 - G：0~0.15 - H：R0.5

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