C0805C332K1GACTU

C0805C332K1GACTU

  • 厂商:

    KEMET(基美)

  • 封装:

    0805

  • 描述:

    3300 pF ±10% 100V 陶瓷电容器 C0G,NP0 0805(2012 公制)

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C0805C332K1GACTU 数据手册
C0805C332K1GACTU
物料型号:文档中描述的是多层陶瓷片式电容器(SMD MLCCs),C0G介质,电压等级为10 – 250 VDC(商业级),由KEMET公司生产,属于YAGEO公司。

器件简介:C0G介质的电容器具有125°C的最高工作温度,被认为是“稳定”的。电子元件、组装件和材料协会(EIA)将C0G介质归类为I类材料。这类元件是温度补偿型的,适用于谐振电路应用或那些需要Q值和电容特性稳定性的场合。C0G的电容随时间和电压的变化极小,并且对环境温度的变化也几乎不敏感,电容变化限制在±30 ppm/ºC。

引脚分配:文档中没有明确提到引脚分配,因为SMD MLCCs是无引脚的表面贴装元件。

参数特性:C0G电容器的工作温度范围为-55°C至+125°C,电容随参考+25°C和0 VDC变化的容差(TCC)为±30 ppm/°C,老化率(最大电容损失/十年小时)为0%,介质耐压(DWV)为额定电压的250%,25°C时的耗散因数(DF)最大限制为0.1%,25°C时的绝缘电阻(IR)限制为1000兆欧微法或100 GΩ。

功能详解:C0G电容器因其高稳定性和低损耗特性,常用于关键的计时、调谐电路、需要低损耗的电路、脉冲高电流电路、去耦、旁路、滤波、瞬态电压抑制、阻塞和能量存储等应用。

应用信息:典型应用包括关键计时、调谐电路、低损耗电路、脉冲高电流电路、去耦、旁路、滤波、瞬态电压抑制、阻断和能量存储。
C0805C332K1GACTU 价格&库存

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C0805C332K1GACTU
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