CA064C180K3GACTU

物料型号： - KEMET的多层陶瓷片式电容器阵列，使用C0G介质，适用于商业和汽车级应用。

器件简介： - KEMET的C0G介质陶瓷芯片电容器阵列是一种先进的被动技术，它将多个电容器元件集成到一个共同的单体结构中。这种阵列技术有助于降低放置成本并提高吞吐量。

引脚分配： - 文档中没有提供具体的引脚分配图，但是提到了电容器阵列可以替代两个或四个分离的设备，节省板空间。

参数特性： - 工作温度范围：-55°C 至 +125°C - 电容变化率：±30 ppm/°C（从 -55°C 至 +125°C） - 介质耐电压：额定电压的250% - 耗散因数（DF）最大限制：@25°C 0.1% - 绝缘电阻（IR）限制：@25°C 1000兆欧微法或100GΩ（额定电压在25°C下应用120±5秒）

功能详解： - C0G介质被电子工业联盟（EIA）分类为I类材料，适合于谐振电路应用或那些需要Q值和电容特性稳定性的应用。

应用信息： - 典型应用包括电信、计算机、手持设备和汽车等领域，这些应用可以从板面积节省、成本节省和整体体积减少中受益。

封装信息： - 提供EIA 0508（2元件）和0612（4元件）封装尺寸 - 直流电压等级：10V、16V、25V、50V、100V 和 200V - 电容范围：从10pF到2200pF - 电容公差：±5%、±10% 和 ±20% - 非极性设备，最小化安装问题 - 100%纯雾锡电镀终止，提供出色的可焊性 - 根据要求提供SnPb终止完成选项（最低5%）