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CBR04C708B1GAC

CBR04C708B1GAC

  • 厂商:

    KEMET(基美)

  • 封装:

    0402

  • 描述:

    贴片电容(MLCC) 0402 0.7pF ±0.1pF 100V C0G(NP0)

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
CBR04C708B1GAC 数据手册
CBR04C708B1GAC AI解析
物料型号:HiQ-CBR Series

器件简介:KEMET的CBR系列是用于高功率应用的表面贴装多层陶瓷电容器(SMD MLCCs),采用C0G介质,具有低等效串联电阻(ESR)的特性。

这些电容器提供了极高的品质因数(Q)和低损耗性能,非常适合于谐振电路应用或需要Q和电容特性稳定性的场合。

CBR系列电容器在电压和时间上表现出电容的极小变化,并且具有极高的温度稳定性。


引脚分配:CBR系列电容器的引脚分配遵循标准的SMD MLCC布局,具体引脚分配取决于电容器的尺寸和封装。


参数特性: - 工作温度范围:-55°C 至 +125°C - 电容变化率:在-55°C至+125°C范围内,电容变化限制在±30 ppm/°C - 直流电压等级:6.3 V、10 V、25 V、50 V、100 V、200 V、250 V 和 500 V - 电容范围:从0.1 pF 至 100 pF - 电容公差:±0.05 pF、±0.1 pF、±0.25 pF、±0.5 pF、±1%、±2% 和 ±5% - 基底金属电极(BME)介质系统 - Pb-free 和 RoHS 合规

功能详解: - 高Q和低ESR - 高自谐振频率(SRF) - 1 MHz 至 50 GHz 的频率范围 - 无压电噪声 - 无电容随额定直流电压变化 - 随温度变化的电容变化可忽略不计 - 无电容随时间衰减 - 非极性设备,最小化安装问题 - 100%纯亚光锡镀层,提供出色的可焊性

应用信息: - 典型应用包括关键定时、调谐、旁路、耦合、反馈、滤波、阻抗匹配和直流阻断。

- 应用领域包括无线和蜂窝基站、无线局域网、基于用户的无线服务、无线广播设备、卫星通信、射频功率放大器模块、滤波器、电压控制振荡器(VCOs)、功率放大器、匹配网络、射频模块、卫星通信和医疗电子。


封装信息: - 提供的封装尺寸包括0201、0402、0603和0805英寸。

- 电容器仅在7英寸卷轴(纸带)上提供和发货,不提供散装袋和盒式包装选项。
*介绍内容由AI识别生成
CBR04C708B1GAC 价格&库存

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CBR04C708B1GAC
  •  国内价格 香港价格
  • 10000+0.2699610000+0.03255
  • 20000+0.2557520000+0.03084
  • 30000+0.2501430000+0.03016

库存:4549

CBR04C708B1GAC
  •  国内价格 香港价格
  • 1+1.535071+0.18507
  • 10+1.0133610+0.12217
  • 50+0.6387250+0.07701
  • 100+0.51176100+0.06170
  • 500+0.36940500+0.04454
  • 1000+0.326821000+0.03941
  • 2500+0.312582500+0.03769
  • 5000+0.284165000+0.03426

库存:4549