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GAL20V8B-25QPNI

GAL20V8B-25QPNI

  • 厂商:

    LATTICE(莱迪思半导体)

  • 封装:

    DIP24_300MIL

  • 描述:

    IC CPLD 8MC 25NS 24DIP

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
GAL20V8B-25QPNI 数据手册
ree Lead-F ge a P a c k ns Optio le! b Availa GAL20V8 High Performance E2CMOS PLD Generic Array Logic™ Features • HIGH PERFORMANCE E2CMOS® TECHNOLOGY — 5 ns Maximum Propagation Delay — Fmax = 166 MHz — 4 ns Maximum from Clock Input to Data Output — UltraMOS® Advanced CMOS Technology • 50% to 75% REDUCTION IN POWER FROM BIPOLAR — 75mA Typ Icc on Low Power Device — 45mA Typ Icc on Quarter Power Device • ACTIVE PULL-UPS ON ALL PINS • E2 CELL TECHNOLOGY — Reconfigurable Logic — Reprogrammable Cells — 100% Tested/100% Yields — High Speed Electrical Erasure (
GAL20V8B-25QPNI
物料型号: - GAL20V8C、GAL20V8B系列,包括不同封装和性能级别的变种,例如GAL20V8C-5LJ、GAL20V8B-7LP1等。

器件简介: - GAL20V8是一款基于CMOS工艺的可编程逻辑器件(PLD),采用Electrically Erasable(E2)技术,提供高速性能,最大传播延迟为5ns,Fmax为166MHz。

引脚分配: - 28引脚PLCC和24引脚PDIP封装两种形式,具体引脚功能需参考文档中的逻辑图和引脚配置图。

参数特性: - 传播延迟(Tpd):5ns至15ns不等,依据具体型号而定。 - 建立时间(Tsu):3ns至15ns不等。 - 时钟到输出延迟(Tco):4ns至12ns不等。 - 工作电流(Icc):依据不同型号,范围在45mA至115mA之间。

功能详解: - 该器件提供8个输出逻辑宏单元,支持复杂逻辑设计的高灵活性。 - 支持预装载和上电复位所有寄存器,实现100%的功能测试。 - 支持E2单元技术,具有可重配置逻辑和可编程单元,提供高速电擦除和长达20年的数据保持。

应用信息: - 应用包括DMA控制、状态机控制、高速图形处理和标准逻辑速度升级。

封装信息: - 提供商业级和工业级规格,封装形式包括PLCC和PDIP,部分型号提供无铅封装选项。
GAL20V8B-25QPNI 价格&库存

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