GAL20V8Z

GAL20V8Z

  • 厂商:

    LATTICE(莱迪思半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    GAL20V8Z - Zero Power E2CMOS PLD - Lattice Semiconductor

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GAL20V8Z 数据手册
GAL20V8Z GAL20V8ZD Zero Power E2CMOS PLD Features • ZERO POWER E2CMOS TECHNOLOGY — 100µA Standby Current — Input Transition Detection on GAL20V8Z — Dedicated Power-down Pin on GAL20V8ZD — Input and Output Latching During Power Down • HIGH PERFORMANCE E CMOS TECHNOLOGY — 12 ns Maximum Propagation Delay — Fmax = 83.3 MHz — 8 ns Maximum from Clock Input to Data Output — TTL Compatible 16 mA Output Drive — UltraMOS® Advanced CMOS Technology • E2 CELL TECHNOLOGY — Reconfigurable Logic — Reprogrammable Cells — 100% Tested/100% Yields — High Speed Electrical Erasure (H 1 1.1 FALL Normalized Tsu PT H->L RISE 1.3 1.2 1.1 1 0.9 0.8 PT H->L PT L->H 1 0.9 0.9 0.8 4.50 4.75 5.00 5.25 5.50 0.8 4.50 4.75 5.00 5.25 5.50 4.50 4.75 5.00 5.25 5.50 Supply Voltage (V) Supply Voltage (V) Supply Voltage (V) Normalized Tpd vs Temp 1.3 1.3 Normalized Tco vs Temp 1.4 Normalized Tsu vs Temp Normalized Tpd Normalized Tco Normalized Tsu 1.2 1.1 1 0.9 0.8 0.7 PT H->L PT L->H 1.2 1.1 1 0.9 0.8 0.7 RISE FALL 1.3 1.2 1.1 1 0.9 0.8 0.7 PT H->L PT L->H 0 0 -55 -25 25 50 75 100 100 125 125 -55 -25 25 50 75 0 100 Temperature (deg. C) Temperature (deg. C) Temperature (deg. C) Delta Tpd vs # of Outputs Switching 0 0 Delta Tco vs # of Outputs Switching Delta Tpd (ns) -0.5 Delta Tco (ns) -0.5 -1 -1 RISE -1.5 RISE -1.5 FALL -2 1 2 3 4 5 6 7 8 FALL -2 1 2 3 4 5 6 7 8 Number of Outputs Switching Delta Tpd vs Output Loading 10 10 Number of Outputs Switching Delta Tco vs Output Loading Delta Tpd (ns) 8 6 4 2 0 -2 0 50 RISE FALL Delta Tco (ns) 8 6 4 2 0 -2 RISE FALL 100 150 200 250 300 0 50 100 150 200 250 300 Output Loading (pF) Output Loading (pF) 18 125 -55 -25 25 50 75 Specifications GAL20V8Z GAL20V8ZD Typical AC and DC Characteristics Vol vs Iol 1.5 1.25 5 4 Voh vs Ioh 5 4.5 Voh vs Ioh Voh (V) Voh (V) Vol (V) 1 0.75 0.5 0.25 0 0.00 20.00 40.00 60.00 3 2 1 0 0.00 10.00 20.00 30.00 40.00 50.00 60.00 4 3.5 3 2.5 0.00 1.00 2.00 3.00 4.00 Iol (mA) Ioh(mA) Ioh(mA) Normalized Icc vs Vcc 1.30 1.2 Normalized Icc vs Temp 1.30 Normalized Icc vs Freq. (DPP & ITD > 10MHz) Normalized Icc Normalized Icc 1.20 1.10 1.00 0.90 0.80 0.70 4.50 4.75 5.00 5.25 5.50 Normalized Icc -55 -25 0 25 50 75 100 125 1.1 1.20 1.10 1.00 0.90 0.80 0 25 50 75 100 1 0.9 0.8 Supply Voltage (V) Temperature (deg. C) Frequency (MHz) Delta Icc vs Vin (1 input) 5 0 10 Input Clamp (Vik) 1 Normalized Icc vs Freq. (ITD) Delta Icc (mA) 20 3 2 1 0 0.00 0.50 1.00 1.50 2.00 2.50 3.00 3.50 4.00 Iik (mA) 30 40 50 60 70 80 90 -1.00 -0.80 -0.60 -0.40 -0.20 0.00 Normalized Icc 4 0.8 0.6 0.4 0.2 0 1 10 100 1000 10000 Vin (V) Vik (V) Frequency (KHz) 19
GAL20V8Z
物料型号: - GAL20V8Z - GAL20V8ZD

器件简介: GAL20V8Z和GAL20V8ZD是由Lattice Semiconductor生产的可编程逻辑器件,采用零功耗E2CMOS技术。GAL20V8Z在待机模式下通过输入转换检测(ITD)进入省电模式,而GAL20V8ZD则使用专门的电源-down引脚(DPP)来进入待机模式。两者都提供了高性能E2CMOS技术和E2单元技术,具备可重配置逻辑、可重编程单元、高速电擦除和长达20年的数据保持能力。

引脚分配: - GAL20V8Z和GAL20V8ZD有24引脚塑料DIP和28引脚PLCC两种封装形式。 - GAL20V8ZD的4号引脚(PLCC的5号引脚)用作专门的电源-down引脚,不能作为功能输入。

参数特性: - 典型待机电流为100µA。 - 最大传播延迟为12ns,最高工作频率Fmax为83.3MHz。 - TTL兼容,能提供16mA的输出驱动能力。

功能详解: - 包含八个输出逻辑宏单元,提供复杂的逻辑设计最大灵活性。 - 所有寄存器在上电时预加载和复位,保证100%的功能测试性。 - 应用包括电池供电系统、DMA控制、状态机控制和高速图形处理。

应用信息: - 适用于电池供电系统,因为其低功耗特性。 - 可用于DMA控制和状态机控制,因其高速和低延迟特性。 - 也适用于高速图形处理应用。

封装信息: - 提供24引脚塑料DIP和28引脚PLCC两种封装选项。 - 对于GAL20V8ZD,专门的电源-down引脚(DPP)限制了某些引脚的功能。
GAL20V8Z 价格&库存

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