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创作活动
GM71C4256BLZ

GM71C4256BLZ

  • 厂商:

    LG(乐金电子)

  • 封装:

  • 描述:

    GM71C4256BLZ - New Generation Dynamic RAM - LG Semicon Co.,Ltd.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
GM71C4256BLZ 数据手册
GM71C4256BLZ
物料型号: - GM71C4256B/BL-60(60ns) - GM71C4256B/BL-70(70ns) - GM71C4256B/BL-80(80ns)

器件简介: GM71C4256B/BL是一款新一代动态RAM,组织为262,144x4位。利用先进的CMOS工艺技术,实现了更高的密度、更高的性能和多种功能。支持快速页面模式作为高速访问模式,并且可以通过标准20引脚DIP、SOJ和ZIP封装。

引脚分配: - A0-A8:地址输入 - RAS:行地址选通 - CAS:列地址选通 - WE:读/写使能 - OE:输出使能 - 1/01-1/04:数据输入/输出 - Vcc:电源(+5V) - Vss:地

参数特性: - 262,144字x4位组织 - 快速页面模式能力 - 单电源供电(5V±10%) - 快速访问时间和周期时间

功能详解: - 支持RAS Only Refresh、CAS before RAS Refresh、Hidden Refresh Capability - 所有输入和输出与TTL兼容 - 512刷新周期/8ms - 512刷新周期/64ms(L系列) - 电池后备操作(L系列)

应用信息: - 适用于需要高系统位密度和高性能逻辑系列直接接口的应用

封装信息: - 300 Mil 20引脚塑料DIP - 400 Mil 20引脚塑料ZIP
GM71C4256BLZ 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“GM71C4256BLZ”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

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