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GM71C4400DL-60

GM71C4400DL-60

  • 厂商:

    LG(乐金电子)

  • 封装:

  • 描述:

    GM71C4400DL-60 - 1,048,576 Words x Bit Organization - LG Semicon Co.,Ltd.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
GM71C4400DL-60 数据手册
GM71C4400DL-60
### 物料型号 - 型号:GM71C4400D/DL - 速度等级:包括-60、-70、-80,分别对应60ns、70ns、80ns的访问时间。

### 器件简介 GM71C4400D/DL是新一代动态RAM,组织为1,048,576 x 4位。利用先进的CMOS工艺技术,实现了更高的密度、更高的性能和多样化的功能。支持快速页面模式作为高速访问模式。多路复用地址输入允许该芯片被封装在标准的300mil 20pin塑料SoJ和300mil 20pin塑料TSOP II中,提供高系统位密度,并且兼容广泛可用的自动化测试和插入设备。

### 引脚分配 - 20(26)SOJ:20或26引脚的缩小型外形(Small Outline J-lead package)。 - 20(26)TSOP II:20或26引脚的薄型缩小型外形(Thin Small Outline Package II)。

### 参数特性 - 访问时间:根据不同的速度等级,访问时间分别为60ns、70ns、80ns。 - 电源电压:单电源供电,公差为5V±10%。 - 功耗: - 活动功耗:440/385/358mW(最大值) - 待机功耗:5.5mW(CMOS水平:最大值),0.55mW(L系列) - 刷新周期:1024次/16ms,1024次/128ms(L系列)。 - 刷新能力:RAS Only Refresh, CAS before RAS Refresh, Hidden Refresh Capability。

### 功能详解 - 1,048,576 Words x 4 Bit组织:提供高密度存储。 - 快速页面模式能力:支持快速数据访问。 - 单电源供电:简化电源设计。 - 快速访问时间和周期时间:提供高性能的数据访问。

### 应用信息 该芯片适用于需要高密度、高性能动态存储的应用,如计算机内存扩展、高速数据处理系统等。

### 封装信息 - 300 Mil, 20 (26) Pin Plastic SOJ:300mil间距,20或26引脚的塑料缩小型外形封装。 - 300 Mil, 20 (26) Pin Plastic TSOP II:300mil间距,20或26引脚的塑料薄型缩小型外形封装,包括正常类型和反向类型。
GM71C4400DL-60 价格&库存

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