GM71C4403D

1. 物料型号： - GM71C4403D/DLJ-60 - GM71C4403D/DLJ-70 - GM71C4403D/DLJ-80 - GM71C4403DT/DLT-60 - GM71C4403DT/DLT-70 - GM71C4403DT/DLT-80 - GM71C4403DR/DLR-60 - GM71C4403DR/DLR-70 - GM71C4403DR/DLR-80

2. 器件简介： GM71C4403D/DL是新一代动态RAM，组织为1,048,576字 x 4位。利用先进的CMOS工艺技术，实现了更高密度、更高性能和多种功能。提供扩展数据输出（EDO）模式作为高速访问模式。多路复用地址输入允许GM71C4403D/DL封装在标准的300mil 20引脚塑料SOJ中。封装尺寸提供高系统位密度，并兼容广泛可用的自动化测试和插入设备。系统导向特性包括5V±10%的单电源供电，直接与高性能逻辑系列如肖特基TTL接口能力。

3. 引脚分配： - 20(26) SOJ - 20(26) TSOP II 具体引脚图和视图已在文档中提供。

4. 参数特性： - 组织：1,048,576字x4位 - 扩展数据输出模式能力 - 单电源供电：5V±10% - 快速访问时间和周期时间，具体参数如下表所示：

| 参数 | GM71C4403D/DL-60 | GM71C4403D/DL-70 | GM71C4403D/DL-80 | | --- | --- | --- | --- | | tRAC | 60ns | 70ns | 80ns | | tCAC | 15ns | 18ns | 20ns | | tRC | 104ns | 124ns | 144ns | | tHPC | 25ns | 30ns | 35ns |

5. 功能详解： - 低功耗活动：440/385/358mW（最大值）待机：5.5mW（CMOS水平：最大值）0.55mWL版本 - 仅RAS刷新，CAS前RAS刷新，隐藏刷新能力 - 所有输入和输出TL兼容 - 1024刷新周期/16ms - 1024刷新周期/128ms（版本） - 电池备份操作（L版本）

6. 应用信息： 该芯片适用于需要高密度、高性能动态存储的应用，如计算机内存、高速缓存等。

7. 封装信息： - 300 Mil, 20 (26) Pin Plastic SOJ - 300 Mil, 20 (26) Pin Plastic TSOP II（正常类型） - 300 Mil, 20 (26) Pin Plastic TSOP II（反向类型）