1. 物料型号:
- GM71C4403E/ELJ/ELJ-60
- GM71C4403E/ELJ/ELJ-70
- GM71C4403E/ELJ/ELJ-80
- GM71C4403ET/ELT-60
2. 器件简介:
- GM71C4403E/EL是新一代动态RAM,组织为1,048,576字 x 4位。利用先进的CMOS工艺技术,实现了更高的密度、更高的性能和多种功能。提供扩展数据输出(EDO)模式作为高速访问模式。多路复用地址输入允许GM71C4403E/EL封装在标准的300mil 20引脚塑料SOJ中。封装尺寸提供高系统位密度,并且与广泛可用的自动化测试和插入设备兼容。
3. 引脚分配:
- A0-A9:地址输入/刷新地址输入
- I/O1-I/O4:数据输入/数据输出
- RAS:行地址选通
- CAS:列地址选通
- WE:读/写使能
- OE:输出使能
- Vcc:电源(+5V)
- Vss:地
4. 参数特性:
- 组织:1,048,576字 x 4位
- 扩展数据输出模式能力
- 单电源供电(5V±10%)
- 快速访问时间和周期时间
5. 功能详解:
- 包括RAS Only Refresh、CAS before RAS Refresh、Hidden Refresh Capability等功能。
- 所有输入和输出TL兼容。
- 1024刷新周期/16ms和128ms(版本)。
- 电池备份操作(L版本)。
6. 应用信息:
- 系统导向特性包括与高性能逻辑系列如肖特基TTL的直接接口能力。
7. 封装信息:
- 300 Mil, 20 (26) Pin Plastic SOJ
- 300 Mil, 20 (26) Pin Plastic TSOP II(反向类型)