### 物料型号
- LTC1981：单路高侧开关控制器，5引脚SOT-23封装。
- LTC1982：双路高侧开关控制器，6引脚SOT-23封装。
### 器件简介
LTC1981/LTC1982是低功耗、自包含的N沟道MOSFET驱动器。内部电压倍压器允许在不使用任何外部组件的情况下驱动门极。内部调节电路允许在门极充电后每个驱动器的静态电流降至10µA（LTC1982）和20µA（LTC1981）。它们适用于电池供电和其他电源受限系统。
### 引脚分配
- LTC1981：
- GDR (Pin 1)：门驱动就绪活动高电平开漏输出。
- VCC (Pin 5)：输入供电电压，范围1.8V至5.5V。
- GND (Pin 2)：地。
- SHDN (Pin 3)：SHDN活动低输入，用于关闭器件并将GATE输出引脚拉至地。
- GATE (Pin 4)：外部高侧开关的门驱动输出。
- LTC1982：
- SHDN1 (Pin 1) 和 SHDN2 (Pin 3)：SHDN活动低输入，用于关闭对应的GATE1或GATE2电荷泵并将对应的GATE输出引脚拉至地。
- VCC (Pin 6)：输入供电电压，范围1.8V至5.5V。
- GATE1 (Pin 5) 和 GATE2 (Pin 4)：外部高侧开关的门驱动输出。
### 参数特性
- 工作电压范围：1.8V至5V。
- 静态电流：LTC1982每个驱动器10µA，LTC1981为20µA。
- 关闭电流：<1µA。
- 门驱动输出电压：大约是供电电压的2.5倍或7.25V，以较小者为准。
### 功能详解
LTC1981/LTC1982内部使用电荷泵来增强外部N沟道开关，将门驱动输出提升至大约2.5倍供电电压或7.25V。门驱动输出受SHDN输入引脚控制，逻辑高电平使电荷泵工作，逻辑低电平关闭电荷泵并将对应的门驱动输出拉低。
### 应用信息
- 设计用于与逻辑级N沟道MOSFET开关一起工作。
- 可用于大型电容性负载的供电，减少启动电流。
- 适用于混合5V/3V系统。
- 可以保护设备免受反向电池条件的影响。
### 封装信息
- S5 Package：5引脚塑料SOT-23封装。
- S6 Package：6引脚塑料SOT-23封装。
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