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L2SC3838LT1G

L2SC3838LT1G

  • 厂商:

    LRC(乐山无线电)

  • 封装:

    SOT-23

  • 描述:

    L2SC3838LT1G

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
L2SC3838LT1G 数据手册
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High-Frequency Amplifier Transistor L2SC3838LT1G S-L2SC3838LT1G z Features 1.High transition frequency.(Typ.fT=3.2GHz) 2.Small rbb`Cc and high gain.(Typ.4ps) 3.Small NF. 4.We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 5.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 3 1 2 MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) Parameter Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-base voltage Collector Current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC Tj Tstg Value 20 11 3 50 0.2 150 -55~+150 Unit V V V mA W °C °C SOT-23 COLLECTOR 3 1 BASE 2 EMITTER DEVICE MARKING L2SC3838LT1G;S-L2SC3838LT1G=AD z ORDERING INFORMATION Device L2SC3838LT1G S-L2SC3838LT1G L2SC3838LT3G S-L2SC3838LT3G Shipping Package SOT-23 3000/Tape & Reel SOT-23 10000/Tape & Reel ELECTRICAL CHARACTERISTICS(TA = 25°C) Parameter Collector-base breakdown voltage Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector cutoff current Emitter cutoff current Collector-emitter saturation voltage DC current transfer ratio Transition frequency Output capacitance Collector-base time constant Noise factor Symbol BVCBO BVCEO BVEBO ICBO IEBO VCE(sat) hFE fT Cob rbb`Cc NF Min. 20 11 3 56 1.4 - Typ 3.2 0.8 4 3.5 Max. 0.5 0.5 0.5 180 1.5 12 - Unit V V V µA µA V GHz pF ps dB Conditions IC=10µA IC=1mA IE=10µA VCB=10V VEB= 2 V IC/IB=10mA/5mA VCE/IC=10V/5mA V CE=10V, IE =-10mA, f=500MHz VCB=10V, IE=0A, f=1MHz VCB=10V, IC=10mA, f=31.8MHz VCE=6V, IC=2mA, f=500MHz,Rg=50Ω Rev.O 1/2 LESHAN RADIO COMPANY, LTD. L2SC3838LT1G;S-L2SC3838LT1G SOT-23 NOTES: 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M,1982 2. CONTROLLING DIMENSION: INCH. A L 3 1 V 2 A B C D G H J G C D MIN 0.1102 0.0472 0.0350 0.0150 0.0701 0.0005 INCHES MAX 0.1197 0.0551 0.0440 0.0200 0.0807 0.0040 0.0034 0.0140 0.0350 0.0830 0.0177 0.0070 0.0285 0.0401 0.1039 0.0236 DIM B S H K J K L S V MILLIMETERS MIN MAX 2.80 3.04 1.20 1.40 0.89 1.11 0.37 0.50 1.78 2.04 0.013 0.100 0.085 0.35 0.89 2.10 0.45 0.177 0.69 1.02 2.64 0.60 0.037 0.95 0.037 0.95 0.079 2.0 0.035 0.9 0.031 0.8 inches mm Rev.O 2/2
L2SC3838LT1G
1. 物料型号:L2SC3838LT1G和S-L2SC3838LT1G。 2. 器件简介:该晶体管具有高过渡频率(典型值为3.2GHz)、小的基极-集电极电容和高增益(典型值为4ps)、小噪声系数,并且符合RoHS要求。S-前缀用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;AEC-Q101合格且能够提供PPAP。 3. 引脚分配:晶体管有集电极、基极和发射极三个引脚。 4. 参数特性:包括最大额定值,如集电极-基极电压(VCBO)、集电极-发射极电压(VCEO)、发射极-基极电压(VEBo)、集电极电流(Ic)、集电极功耗(Pc)和结温(T)。 5. 功能详解:提供了电气特性,包括集电极-基极击穿电压、集电极-发射极击穿电压、发射极-基极击穿电压、截止电流、饱和电压、直流电流传输比、过渡频率、输出电容和基极-集电极时间常数等。 6. 应用信息:适用于需要高过渡频率和高增益的应用,如汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 7. 封装信息:SOT-23封装,提供3000/卷和10000/卷的包装选项。
L2SC3838LT1G 价格&库存

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